[发明专利]一种MZI型磁光隔离器

权利要求书

1.一种MZI型磁光隔离器，包括输入输出波导、1*2耦合器、波导臂1和波导臂2，其特征在于：

输入输出波导由半导体芯层材料和低折射率包层材料组成，用于支持单模光传输；

1*2耦合器共计2个，一个分别接输入波导和波导臂，另一个分别接波导臂和输出波导；将输入波导输入的入射光能量均匀地分成两束与入射模场分布相同的光,并输出至波导臂，再将经过两波导臂相位调制后的光经过干涉效应合成一束光并从输出波导输出；

所述波导臂包括波导臂1和波导臂2，由非互易波导和互易波导组成，通过波导的弯曲折叠布置成含有N条平行边的多U型结构，N≥3；

非互易波导同时在两波导臂存在，且两波导臂的非互易波导的总长度相等，以产生非互易相移，设置在两波导臂光传播方向不同的波导段，实现在单向磁场下工作，简化磁化控制；

互易波导同时在两波导臂存在，两波导臂的互易相移之差为π/2+2nπ，n为整数。

2.如权利要求1所述MZI型磁光隔离器，其特征在于：所述波导臂的互易波导长度可调，以调节隔离带宽。

3.如权利要求1所述MZI型磁光隔离器，其特征在于：所述非互易波导的磁光薄膜层材料为钇铁石榴石(YIG)，铈掺杂钇铁石榴石(Ce:YIG)，铋掺杂钇铁石榴石(Bi:YIG)或稀土离子掺杂钇铁石榴石(Re:YIG)。

4.如权利要求1所述MZI型磁光隔离器，其特征在于：所述波导的芯层为半导体波导薄膜层，其材料为Si、Ge、Si1-xGex、GaAs、InP、InGaAsP、GaN、AlN、Ga1-xAlxAs或Ge1-xSnx。

5.如权利要求1所述MZI型磁光隔离器，其特征在于：所述包层即低折射率层，其材料为SiO₂、Si₃N₄、SiO_xN_y、TiO₂、HfO₂、ZrO₂、Ta₂O₅、Al₂O₃、MgO或空气。