[发明专利]阵列式发射率参考物在审
申请号: | 201711220806.1 | 申请日: | 2017-11-27 |
公开(公告)号: | CN107796521A | 公开(公告)日: | 2018-03-13 |
发明(设计)人: | 李文军;王潇楠 | 申请(专利权)人: | 中国计量大学 |
主分类号: | G01J5/52 | 分类号: | G01J5/52 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 发射 参考 | ||
技术领域
本发明涉及红外测温技术领域,尤其涉及阵列式发射率参考物。
背景技术
红外测温技术在民用和工业领域都得到了广泛应用。用红外测温设备测量物体的温度,需要知道被测物体的表面发射率。但确定物体的表面发射率却比较困难,原因是表面发射率不仅取决于物体材料种类,还和物体表面状况等因素有关。在测温过程中,为了先确定表面发射率,常用辅助方法是采用发射率已知的物体作为参考物。然而目前使用的参考物如黑胶布,规格不一,不能重复使用,寿命短,加热后易损伤,作为发射率参考物其发射率不稳定。
现阶段对于阵列式发射率参考物作为发射率已知的参考物不是很多,现技术有三个缺点,一是测温区间不够宽;二是在工作温度区间内,参考物体发射率是一个定值或区域值,不能连续调节;三是多数参考物体为非对称结构,其自身温场不稳定,使测量发射率精度受到影响。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有发射率参考物的不足,提供阵列式发射率参考物。
本发明涉及阵列式发射率参考物,包括长方体金属基底,矩形槽,矩形翅,对称线,所述长方体金属基底上表面存在一系列矩形槽和矩形翅,所述长方体金属基底表面存在一根对称线。
作为本发明的优选技术方案,所述长方体金属基底作为基底,长宽高约为70mm×30mm×20mm,长方体金属基底整体为对称型结构,长方体金属基底采用纯铝制金属材料,平稳性好,导热性好,可重复使用,寿命长,其对称结构使温场更加稳定。
作为本发明的优选技术方案,所述矩形槽由在长方体金属基底上表面切割后切除的空间形成,矩形槽深度以对称线为中心往两侧均匀依次递增,矩形槽以对称线为轴左右对称,具有宽广的发射率分布,可提供连续可调的发射率,其对称结构使温场更加稳定。
作为本发明的优选技术方案,所述矩形翅由在长方体金属基底上表面切割后未被切除的部分形成,矩形翅深度以对称线为中心往两侧均匀依次递增,矩形翅以对称线为轴左右对称,矩形槽和矩形翅的在长方体金属基底上表面的宽度比例1∶3,矩形槽和矩形翅的组合使参考物发射率平稳连续分布,其对称结构使温场更加稳定。
作为本发明的优选技术方案,所述对称线在长方体金属基底表面,对称线平行于矩形槽且为长方体金属基底的对称轴,使温场稳定,辐射均匀。
本发明通过设计阵列式发射率参考物,能够作为参考物在红外测温技术领域提供比较广泛的发射率区间,提供连续可选的表面单元,可选的表面单元在工作温度区间内有连续稳定的发射率,其对称式结构可使温场更加稳定,对该阵列式发射率参考物标定后可作为发射率参考样品,小巧简单,操作方便。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
图1中:1.长方体金属基底;2.矩形槽;3.矩形翅;4.对称线。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
请参阅图1,图1为本发明的结构示意图。
阵列式发射率参考物,包括长方体金属基底1,矩形槽2,矩形翅3,对称线4,所述长方体金属基底1上表面存在一系列矩形槽2和矩形翅3,所述长方体金属基底1表面存在一根对称线4。
选取纯铝制金属材料的长方形金属基底1,长宽高约为70mm×30mm×20mm,在长方形金属基底1表面的中心处以平行于长方形金属基底1宽度的方向画一条对称线4,此对称线4为长方形金属基底1的对称轴,在长方体金属基底1上表面以平行于对称线4的方向进行切割,切割后切除的空间形成矩形槽2,矩形槽2深度以对称线4为中心往两侧均匀依次递增,矩形槽2以对称线4为轴左右对称,在长方体金属基底1上表面切割后未被切除的部分形成矩形翅3,矩形翅3深度以对称线4为中心往两侧均匀依次递增,矩形翅3以对称线4为轴左右对称,矩形槽2和矩形翅3的在长方体金属基底1上表面的宽度比1∶3,至此,阵列式发射率参考物制作完成。
使用时将阵列式发射率参考物放置在加热装置中测量其发射率,由于其长方体金属结构,所以导热性好且不会形变。加热后由于其对称性结构,温场和热辐射均匀稳定。使用红外测温设备照射该阵列式发射率参考物时,可得到连续稳定可调的发射率,标定后可作为发射率参考样品,小巧简单,操作方便。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
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