[发明专利]一种功率合成型的功率放大器及毫米波芯片

权利要求书

1.一种功率合成型的功率放大器，应用于毫米波芯片，其特征在于，包括直流电源、N路子功率放大器、输入端与N路所述子功率放大器的输出端一一对应连接的N个匹配电路、第一端与第i个匹配电路的输出端连接且第二端与第i+1个匹配电路的输出端连接的隔离电路及N条长度为六分之一波长的传输线；所述功率放大器的输入端包括N路所述子功率放大器的输入端，所述功率放大器的输出端与负载的第一端连接，所述负载的第二端接地，每路子功率放大器均包括晶体管、射频扼流圈，1≤i＜N，i、N均为整数，其中：

所述晶体管的栅极作为所属子功率放大器的输入端，所述晶体管的漏极与所述射频扼流圈的第一端连接，其公共端作为所属子功率放大器的输出端，所述晶体管的源极接地，所述射频扼流圈的第二端与所述直流电源的输出端连接，第i条传输线的第一端与第i个匹配电路的输出端连接，第i条传输线的第二端与第i+1条传输线的第二端连接，其公共端作为所述功率放大器的输出端；

所述传输线的输入阻抗的关系式为：其中，Z_x为所述传输线的特征阻抗，Z_c为所述负载的阻抗，l_x为所述传输线的长度，λ为所述波长；

所述隔离电路包括串联的M个电阻及M个电容，其中，M为正整数；

所述隔离电路的结构对称；

所述隔离电路的等效阻抗的求取关系式为：其中，Z_iso为所述隔离电路的等效阻抗。

2.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述电阻的个数和所述电容的个数均为两个。

3.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述晶体管为PMOS管。

4.一种毫米波芯片，其特征在于，包括如权利要求1-3任一项所述的功率合成型的功率放大器。