[发明专利]基于金纳米颗粒/二硫化钨的U形光纤倏逝波传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于金纳米颗粒/二硫化钨的U形光纤倏逝波传感的制备方法，其特征在于，包括：

步骤1)：U形光纤的制备；

步骤2)：利用热分解法在U形光纤表面原位生长二硫化钨；

步骤3)：利用化学还原法在二硫化钨材料表面制备金纳米颗粒；

所述步骤3)中，将氯金酸粉末溶解于去离子水中，配制成一定浓度的氯金酸溶液，将所述步骤2)中煅烧后的U形光纤浸没于氯金酸溶液中，反应55-65秒后取出。

2.如权利要求1所述的一种基于金纳米颗粒/二硫化钨的U形光纤倏逝波传感的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中，U形光纤的制备包括去掉光纤表面的塑料氧化物，将光纤的中间区域弯曲成U形并用火烤，将烤好的光纤依次放入丙酮，酒精和去离子水中清洗，之后在食人鱼溶液中浸泡一段时间后用氩气进行等离子体处理。

3.如权利要求1所述的一种基于金纳米颗粒/二硫化钨的U形光纤倏逝波传感的制备方法，其特征在于，所述步骤2)，将四硫代钨酸铵粉末溶解于乙二醇中，配制成浓度为0.9-1.1mM/L的混合溶液，对混合溶液进行超声震荡，静置后获得四硫代钨酸铵溶液；将所述步骤1)制备得到的U形光纤浸没于四硫代钨酸铵溶液中，浸泡一段时间后取出并自然晾干，再放入氮气氛围中烘干。

4.如权利要3所述的一种基于金纳米颗粒/二硫化钨的U形光纤倏逝波传感的制备方法，其特征在于，将烘干后的U形光纤放入管式炉中，通入一定流量的氢气和氩气，待管式炉升至设定温度后对U形光纤进行一定时间的煅烧。

5.如权利要求1所述的一种基于金纳米颗粒/二硫化钨的U形光纤倏逝波传感的制备方法，其特征在于，所述U形光纤为石英光纤，所述U形光纤的弯曲直径为1-5mm。

6.如权利要求4所述的一种基于金纳米颗粒/二硫化钨的U形光纤倏逝波传感的制备方法，其特征在于，所述管式炉的设定温度为500-900℃。

7.如权利要求1所述的一种基于金纳米颗粒/二硫化钨的U形光纤倏逝波传感的制备方法，其特征在于，所述U形倏逝波传感器中原位生长的二硫化钨的层数为2-5层。

8.一种基于金纳米颗粒/二硫化钨的U形光纤倏逝波传感器，其特征在于，包括基于如任一权利要求1-7所述的U形光纤，所述U形光纤表面均匀分布着金纳米颗粒，所述金纳米颗粒大小均匀。

9.如权利要求8所述的一种基于金纳米颗粒/二硫化钨的U形光纤倏逝波传感器，其特征在于，所述金纳米颗粒的大小为20-80nm。