[发明专利]一种耐高低温红外光学窗口片在审
申请号: | 201711201139.2 | 申请日: | 2017-11-27 |
公开(公告)号: | CN109839678A | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 韩崇利 | 申请(专利权)人: | 成都中源红科技有限公司 |
主分类号: | G02B1/111 | 分类号: | G02B1/111;G02B1/14 |
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地址: | 610100 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 增透膜 耐高温膜 耐高低温 隔层 基板 红外光学窗口 层厚度 窗口片 沉积 乙烯基倍半硅氧烷 低温环境 基板两侧 射频沉积 双层镀膜 硅氧烷 膜密封 透光率 包绕 结霜 成功率 成像 隔离 保证 | ||
本发明涉及一种耐高低温红外光学窗口片,包括:基板、增透膜、耐高温膜和隔层;所述基板两侧分别沉积有增透膜,所述增透膜设置有4层,每层厚度为30‑40nm,增透膜为HfON膜,其材料为乙烯基倍半硅氧烷;在所述基板处于常温的一侧还沉积有耐高温膜,所述耐高温膜有2层每层厚度为35‑50nm,耐高温膜由气态硅氧烷在PECVD设备上射频沉积而得;所述耐高温膜、增透膜与基板的外侧周边上包绕有隔层;本发明采用双层镀膜结构,用隔层将窗口片及增透膜和耐高低温膜密封,使得窗口片与低温环境隔离,可避免窗口结霜,同时增透膜能增加透光率,增大成像的清晰度,进一步保证实验的成功率。
技术领域
本发明涉及红外光学器件技术领域,具体涉及一种耐高低温红外光学窗口片。
背景技术
光学窗口是高低温光学试验中必不可少的光学部件,其材质与结构的优劣必将影响光学试验的成败。然而,一般现有的光学窗口在高低温(零摄氏度以下)试验时,很容易由于窗口两侧的温度梯度导致窗口处于常温侧结霜,致使光学成像模糊,导致试验失败。
发明内容
本发明提供如下技术方案:一种耐高低温红外光学窗口片,包括:基板、增透膜、耐高温膜和隔层;所述基板两侧分别沉积有增透膜,在所述基板处于常温的一侧还沉积有耐高温膜;所述耐高温膜、增透膜与基板的外侧周边上包绕有隔层。
进一步,增透膜设置有4层,每层厚度为30-40nm
进一步,耐高温膜有2层每层厚度为35-50nm。
进一步,耐高温膜由气态硅氧烷在PECVD设备上射频沉积而得。
进一步,增透膜为HfON膜,其材料为乙烯基倍半硅氧烷。
本发明采用双层镀膜结构,用隔层将窗口片及增透膜和耐高低温膜密封,使得窗口片与低温环境隔离,可避免窗口结霜,同时增透膜能增加透光率,增大成像的清晰度,进一步保证实验的成功率。
附图说明
图1为一种耐高低温红外光学窗口片的结构示意图。
其中,1、基板;2、增透膜;3、耐高温膜;4、隔层。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细地描述:
实施例1:
本发明提供一种耐高低温红外光学窗口片,包括:基板1、增透膜2、耐高温膜3和隔层4;所述基板1两侧分别沉积有增透膜2,所述增透膜2设置有4层,每层厚度为30nm,增透膜2为HfON膜,其材料为乙烯基倍半硅氧烷;在所述基板1处于常温的一侧还沉积有耐高温膜3,所述耐高温膜3有2层每层厚度为35nm,耐高温膜3由气态硅氧烷在PECVD设备上射频沉积而得;所述耐高温膜3、增透膜2与基板1的外侧周边上包绕有隔层4。
实施例2:
一种耐高低温红外光学窗口片,包括:基板1、增透膜2、耐高温膜3和隔层4;所述基板1两侧分别沉积有增透膜2,所述增透膜2设置有4层,每层厚度为35nm,增透膜2为HfON膜,其材料为乙烯基倍半硅氧烷;在所述基板1处于常温的一侧还沉积有耐高温膜3,所述耐高温膜3有2层每层厚度为43nm,耐高温膜3由气态硅氧烷在PECVD设备上射频沉积而得;所述耐高温膜3、增透膜2与基板1的外侧周边上包绕有隔层4。
实施例3:
一种耐高低温红外光学窗口片,包括:基板1、增透膜2、耐高温膜3和隔层4;所述基板1两侧分别沉积有增透膜2,所述增透膜2设置有4层,每层厚度为40nm,增透膜2为HfON膜,其材料为乙烯基倍半硅氧烷;在所述基板1处于常温的一侧还沉积有耐高温膜3,所述耐高温膜3有2层每层厚度为50nm,耐高温膜3由气态硅氧烷在PECVD设备上射频沉积而得;所述耐高温膜3、增透膜2与基板1的外侧周边上包绕有隔层4。
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