[发明专利]一种耐高低温红外光学窗口片在审
| 申请号： | 201711201139.2 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109839678A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 韩崇利 | 申请（专利权）人： | 成都中源红科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B1/111 | 分类号： | G02B1/111;G02B1/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610100 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 增透膜 耐高温膜 耐高低温 隔层 基板 红外光学窗口 层厚度 窗口片 沉积 乙烯基倍半硅氧烷 低温环境 基板两侧 射频沉积 双层镀膜 硅氧烷 膜密封 透光率 包绕 结霜 成功率 成像 隔离 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种耐高低温红外光学窗口片，其特征在于，包括：基板(1)、增透膜(2)、耐高温膜(3)和隔层(4)；所述基板(1)两侧分别沉积有增透膜(2)，在所述基板(1)处于常温的一侧还沉积有耐高温膜(3)；所述耐高温膜(3)、增透膜(2)与基板(1)的外侧周边上包绕有隔层(4)。
2.根据权利要求1所述的一种耐高低温红外光学窗口片，其特征在于，所述增透膜(2)设置有4层，每层厚度为30-40nm。
3.根据权利要求1所述的一种耐高低温红外光学窗口片，其特征在于，所述耐高温膜(3)有2层每层厚度为35-50nm。
4.根据权利要求3所述的一种耐高低温红外光学窗口片，其特征在于，所述耐高温膜(3)由气态硅氧烷在PECVD设备上射频沉积而得。
5.根据权利要求2所述的一种耐高低温红外光学窗口片，其特征在于，所述增透膜(2)为HfON膜，其材料为乙烯基倍半硅氧烷。
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