[发明专利]一种全介质偏振无关的角度滤波器有效

专利信息
申请号: 201711200014.8 申请日: 2017-11-24
公开(公告)号: CN107976733B 公开(公告)日: 2021-02-09
发明(设计)人: 钱沁宇;王钦华;徐常清 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: G02B5/20 分类号: G02B5/20
代理公司: 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 代理人: 陈娟
地址: 215123 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 介质 偏振 无关 角度 滤波器
【权利要求书】:

1.一种全介质偏振无关的角度滤波器,其特征在于,包括基底、堆叠在所述基底上的两种不同介电常数的光学镀膜层,其中一种所述光学镀膜层的材料为与半导体兼容的全介质光子晶体、另一种所述光学镀膜层的材料为偏振无关的光子晶体;

两种所述光学镀膜层分别为硅层和二氧化硅层;

在固定a=L1+L2=534nm的情况下,调整L1和L2时带边频率发生变化,当单位的介电常数从ε(r)变化到时,本征频率将根据公式发生变化从ωnk

其中,Enk(r)表示非扰动模式的场分布,L1表示所述硅层的厚度,L2表示所述二氧化硅层的厚度。

2.根据权利要求1所述的全介质偏振无关的角度滤波器,其特征在于,两种所述光学镀膜层按交替方式周期性堆叠在所述基底上。

3.根据权利要求1所述的全介质偏振无关的角度滤波器,其特征在于,所述基底为二氧化硅,且堆叠在所述基底上的光学镀膜层为所述硅层。

4.根据权利要求1所述的全介质偏振无关的角度滤波器,其特征在于,所述硅层的厚度L1=80±8nm,所述二氧化硅层的厚度L2=454±32nm。

5.根据权利要求1所述的全介质偏振无关的角度滤波器,其特征在于,所述硅层和所述二氧化硅层通过真空离子源溅射镀膜的方式交替沉积在所述基底上。

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