[发明专利]层状硫族光电材料及其制备方法

权利要求书

1.一种A₂MCu₃Se₄型层状硫族光电材料的水热制备方法，其特征在于，

A₂MCu₃Se₄型层状硫族光电材料中，A为Na、K、Rb或Cs中的一种或多种；M为Mn、Fe、Co或Ni中的一种或多种，该材料具有ThCr₂Si₂型层状结构，原子A穿插在相邻的MCuSe₂层之间的空隙中，MCuSe₂层由四配位的M、Cu离子之间通过共边连接方式构成，且Cu和M原子随机分布在四面体的中心；

制备方法包括如下步骤：

1)将含M与Cu的反应原料按照物质的量比1：3加入水中混合并搅拌均匀，得到混合溶液；

2)向步骤1)所得混合溶液中加入Se单质或硒脲；

3)向步骤2)所得混合溶液中加入AOH，搅拌使混合物均匀混合；

4)待步骤3)所得混合物冷却至室温后，转移至反应釜中，填充度为低于80％，在160～260℃下反应1～7天后将反应釜冷却至室温，并卸压；

5)将合成样品用去离子水清洗，并在超声波振荡器中进行超声处理，得到A₂MCu₃Se₄型层状硫族光电材料。

2.根据权利要求1所述A₂MCu₃Se₄型层状硫族光电材料的水热制备方法，其特征在于，含M的反应原料是指含M的可溶性盐，含Cu的反应原料是指含Cu的可溶性盐，含Se的反应原料是指硒粉或硒脲。

3.根据权利要求2所述A₂MCu₃Se₄型层状硫族光电材料的水热制备方法，其特征在于，步骤3)中，加入AOH后使所述溶液碱度达到2mol/L以上；步骤5)超声处理之后，把所得样品放到烘箱中烘干。