[发明专利]一种可编程毫米波数字功率放大器有效
申请号: | 201711192865.2 | 申请日: | 2018-02-22 |
公开(公告)号: | CN108155880B | 公开(公告)日: | 2021-08-13 |
发明(设计)人: | 陈林辉;刘晓东;刘志哲;聂利鹏;曹玉雄;陈磊 | 申请(专利权)人: | 北京遥感设备研究所 |
主分类号: | H03F3/21 | 分类号: | H03F3/21;H03F3/213;H03F3/217;H03F3/45;H03F1/02 |
代理公司: | 中国航天科工集团公司专利中心 11024 | 代理人: | 孔晓芳 |
地址: | 100854*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可编程 毫米波 数字 功率放大器 | ||
本发明公开一种可编程毫米波数字功率放大器,包括:NMOS放大管M0、M1,NMOS开关管M2、M3、M4、M5,偏置电阻R1、偏置电阻R2,隔直电容C1、C2,中和电容C3、C4,共模抑制电感L1,差分转单端变压器TF1。毫米波射频差分信号经隔直电容C1、C2输入,经放大管M2、M3、M4、M5放大输出。本发明通过数字控制信号D0、数字控制信号D1控制开关管M0、M1的导通与否,进而控制放大管的导通与否,从而控制放大器的输出功率,解决了传统毫米波功率放大器输出功率不可调节的缺点。本发明结构简单,集成度高,可以用于毫米波功率放大器和其他毫米波集成电路系统设计中,实现输出功率数字编程,提高功率放大器和系统的功率回退效率。
技术领域
本发明涉及一种毫米波功率放大器,特别是一种可编程毫米波数字功率放大器。
背景技术
近年来,随着互补金属-氧化物半导体(CMOS)技术的快速发展,采用CMOS技术实现毫米波集成电路成为现实。CMOS集成电路技术在数字电路设计中优势明显,利用CMOS集成电路技术的特点,可以实现各种功能的数字、模拟、射频混合电路设计。常规的毫米波功率放大器结构基本分为共源结构、共栅结构、共源共栅结构等,这些结构中放大管尺寸固定,因此单个放大器的输出功率往往固定不可调节,或者增益不可调节。然而越来越多的应用场合,要求系统的输出功率可变,在末级的输出功率放大器不可调节的情况下,要么增加输出衰减电路,要么降低输入激励功率,这两种情况,功率放大器本身的功耗和输出功率不变,因此具有功率回退效率低,系统功耗大等缺点。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可编程的毫米波数字功率放大器,解决常规毫米波功率放大器输出功率固定,功率回退效率低的缺点。
一种可编程毫米波数字功率放大器,包括: NMOS开关管M0、NMOS开关管M1、NMOS放大管M2、NMOS放大管M3、NMOS放大管M4和NMOS放大管M5、偏置电阻R1、偏置电阻R2、隔直电容C1、隔直电容C2、中和电容C3、中和电容C4、共模抑制电感L1和差分转单端变压器TF1;所述NMOS 是指N沟道金属氧化物半导体。
前级毫米波信号差分输入,IN+表示信号输入正端,IN-表示信号输入负端。
NMOS放大管M2、NMOS放大管M4的栅极均分别与偏置电阻R1、隔直电容C1和中和电容C3连接,NMOS放大管M3、NMOS放大管M5的栅极均分别与偏置电阻R2、隔直电容C2和中和电容C4连接;偏置电阻R1、偏置电阻R2的另一端连接到偏置电压Vg。
NMOS放大管M2、NMOS放大管M3的源极与NMOS开关管M0的漏极连接,NMOS放大管M4、NMOS放大管M5的源极与NMOS开关管M1的漏极连接;NMOS开关管M0、NMOS开关管M1的源极与共模抑制电感L1连接;NMOS开关管M0、NMOS开关管M1的栅极分别与数字控制信号D0、数字控制信号D1的输入端连接;数字控制信号D0和数字控制信号D1控制NMOS开关管M0、NMOS开关管M1的导通、关断以及放大器的输出功率。
NMOS放大管M2、NMOS放大管M4的漏极与中和电容C4一端连接,为信号放大输出正端,NMOS放大管M3、NMOS放大管M5的漏极与中和电容C3的一端连接,为信号放大输出负端;信号放大输出的正端和负端分别连接到变压器TF1的两个输入端口;变压器TF1的输入线圈中心抽头连接到电源电压Vd。
更优的,所述NMOS放大管M2、NMOS放大管M3尺寸一致,互为差分对称,NMOS放大管M4、NMOS放大管M5尺寸一致,互为差分对称;NMOS放大管M4、NMOS放大管M5尺寸大于NMOS放大管M2、NMOS放大管M3。
更优的,所述NMOS开关管M0、NMOS开关管M1的尺寸比例与NMOS放大管M2、NMOS放大管M4的尺寸比例相同。
更优的,所述NMOS开关管M0的尺寸大于NMOS放大管M2和M3尺寸之和,NMOS开关管M1的尺寸大于NMOS放大管M4和M5尺寸之和。
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