[发明专利]一种面板行业铜制程用新型剥离液

说明书

本发明涉及一种TFT行业铜制程用高回收率环保型剥离液，包括如下质量百分比的成分，醇类1%‑2%，醚类40%‑50%、混胺类3%‑8%、低沸点有机溶剂40%～50%、缓蚀剂1%～5%、非离子型表面活性剂1%～5%和余量为纯水。该剥离液剥离速度适中，在1000倍显微镜下，剥离后的晶圆表面无光刻胶残留；10000倍显微镜下，对铜金属层几乎没有腐蚀。本发明采用醇类、醚类混合使用加强去胶能力，结合混胺类物质，增强铜金属抗腐蚀性能；但是常规的胺类物质用量加大，会加大铜金属的腐蚀，本申请中采用联胺类物质，即（盐酸联胺、一水联胺）组合使用结合其它胺类物质，可提高去胶能力，加强铜金属的保护，且由于联胺组合物极易溶于水，去除便捷，可减少唑类物质加入，较少添加剂残留。

技术领域

本发明涉及液晶显示器薄膜晶体管（TFT）行业电子化学品技术领域，具体涉及一种面板行业铜制程用新型剥离液。

背景技术

在液晶面板等制造过程中，需要通过多次图形掩膜照射曝光及蚀刻等工序在硅晶圆或玻璃基片形成多层精密的微电路，形成微电路之后，进一步使用专用的剥离液将涂覆在微电路保护区域上作为掩膜的光刻胶除去。剥离过程是将剥离液喷淋到刻蚀后的产品表面，剥离液会将未被紫外线照射的感光光阻溶解掉，留下被保护的部分，从而形成线路。

光刻胶在剥离去除的过程中，主要需要解决的问题有：铜基材的氧化腐蚀问题和光刻胶的残留问题，需要做到既要剥离干净、无残留，又要对铜基材无损伤。现有技术的常规做法是添加唑类保护剂，如甲基苯丙三氮唑，对铜基材进行保护，但是引入的唑类保护剂，会产生添加剂残留，去除不干净，后道使用时会产生表面电流变大等不利影响，开发适合面板行业铜制程用新型剥离液成为本申请研究方法。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种剥离干净、铜基材无损伤且无添加剂残留的面板行业铜制程用新型剥离液。

本发明解决上述问题所采用的技术方案为：一种面板行业铜制程用新型剥离液，包括如下质量百分比的成分：

醇类 1%-2%；

醚类 40%-50%；

混胺类 3%-8% ；

低沸点有机溶剂 40%～50%；

缓蚀剂 1%～5%；

非离子型表面活性剂 1%～5%；

余量为纯水。

优选地，所述醇类为乙二醇、四氢糠醇、丙三醇、季戊四醇的一种或几种；

醚类为二乙二醇单丁醚、丙二醇单丁醚、二丙二醇单丁醚、二乙二醇单甲醚、乙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二丙二醇单乙醚中的一种或几种。

混胺类为盐酸联胺15-20%、一水联胺15-20%、单乙醇胺15-20%、二乙醇胺15-20%、三乙醇胺15-20%、乙二胺15-20%。

优选地，低沸点有机溶剂为酰胺类或内酰胺类低沸点有机溶剂中的一种或几种。

优选地，低沸点有机溶剂为N-甲基甲酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二乙基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮、N-丙基-2-吡咯烷酮中的一种或几种。

优选地，缓蚀剂为膦羧酸（PBTCA）、巯基苯并噻唑、苯并三唑中的一种或几种。保护金属层，不致于被腐蚀。

优选地，非离子型表面活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚。