[发明专利]非制冷红外焦平面阵列读出电路有效

专利信息
申请号: 201711175496.6 申请日: 2017-11-22
公开(公告)号: CN107727243B 公开(公告)日: 2019-12-10
发明(设计)人: 谭果;李煜;李璟;翁博元;李中伟 申请(专利权)人: 北方广微科技有限公司
主分类号: G01J5/02 分类号: G01J5/02;G01J5/24
代理公司: 11370 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 朱海波
地址: 100176 北京市大兴区经济技*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 制冷 红外 平面 阵列 读出 电路
【权利要求书】:

1.一种非制冷红外焦平面阵列读出电路,其特征在于包括:

偏置电路(10),所述偏置电路(10)能够产生偏置电流,所述偏置电路(10)包括输入偏置电流(Ib)、第四场效应管(M4)和第六场效应管(M6),所述第四场效应管(M4)的栅极和漏极短接,栅极作为所述偏置电路(10)的第一输出(Veb),所述第六场效应管(M6)的栅极和漏极短接,并且漏极接所述输入偏置电流(Ib),源极接所述第四场效应管(M4)的漏极,并且所述第六场效应管(M6)的栅极作为所述偏置电路(10)的第二输出(Vcas);

偏压产生电路(20),所述偏压产生电路(20)连接到所述偏置电路(10)的输出,能够将所述偏置电流转换为偏置电压;

探测与积分电路(30),所述探测与积分电路(30)连接到所述偏置电路(10)的输出和所述偏压产生电路(20)的输出,能够产生两路几乎相同的电流,对所产生的两路电流之差进行积分并作为电压输出。

2.如权利要求1所述的非制冷红外焦平面阵列读出电路,其特征在于,所述偏压产生电路(20)包括第一镜像场效应管(M1m)、第二运算放大器(op2)、第三场效应管(M3)、镜像微辐射热计电阻(Rsm),

所述第一镜像场效应管(M1m)栅极接所述偏置电路(10)的第一输出(Veb),源极接电源线(Vsk)或地线,漏极接所述第三场效应管(M3)的源极以及所述第二运算放大器(op2)的负输入端;

所述第二运算放大器(op2)正端接参考电压(Vref),输出端接所述第三场效应管(M3)的栅极;

所述第三场效应管(M3)的漏极接所述镜像微辐射热计电阻(Rsm)的正端,所述镜像微辐射热计电阻(Rsm)的正端作为所述偏压产生电路(20)的输出节点(D);

所述镜像微辐射热计电阻(Rsm)的负端接地线或者电源线(Vsk)。

3.如权利要求1所述的非制冷红外焦平面阵列读出电路,其特征在于,

所述偏压产生电路(20)包括第一镜像场效应管(M1m)、第二镜像场效应管(M5m)、第二运算放大器(op2)、第三场效应管(M3)、镜像微辐射热计电阻(Rsm),

所述第一镜像场效应管(M1m)栅极接所述偏置电路(10)的第一输出(Veb),源极接电源线(Vsk)或地线,漏极接所述第二镜像场效应管(M5m)的源极;

所述第二镜像场效应管(M5m)栅极接所述偏置电路(10)的所述第二输出(Vcas),源极接第一镜像场效应管(M1m)的漏极,漏极接所述第三场效应管(M3)的源极以及所述第二运算放大器(op2)的负输入端;

所述第二运算放大器(op2)正端接参考电压(Vref),输出端接所述第三场效应管(M3)的栅极;

所述第三场效应管(M3)的漏极接所述镜像微辐射热计电阻(Rsm)的正端,所述镜像微辐射热计电阻(Rsm)的正端作为所述偏压产生电路(20)的输出节点(D);

所述镜像微辐射热计电阻(Rsm)的负端接地线或者电源线(Vsk)。

4.如权利要求2或3所述的非制冷红外焦平面阵列读出电路,其特征在于,所述偏压产生电路(20)还包括模拟缓冲器(bf),

所述输出节点(D)接所述模拟缓冲器(bf),作为所述偏压产生电路(20)的输出。

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