[发明专利]一种基于阈值电压基准的PUF电路有效
申请号: | 201711173742.4 | 申请日: | 2017-11-22 |
公开(公告)号: | CN107766750B | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 曹元;韩庆邦;钱欢 | 申请(专利权)人: | 河海大学常州校区 |
主分类号: | G06F21/73 | 分类号: | G06F21/73;H04L9/32 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 朱妃;董建林 |
地址: | 213022 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 阈值 电压 基准 puf 电路 | ||
1.一种基于阈值电压基准的PUF电路,其特征在于:包括阈值电压基准阵列、行译码器、列译码器和数字比较器,所述PUF电路的输入端分别与行译码器的输入端和列译码器的输入端相连,所述行译码器的输出端通过阈值电压基准阵列与列译码器相连,所述列译码器的输出端与数字比较器的输入端相连;
所述阈值电压基准阵列包括至少两个相同的单个电压基准电路,所述单个电压基准电路包括零阈值NMOS管、第一高阈值PMOS管和第二高阈值PMOS管;所述零阈值NMOS管的漏极接供电电源的正极,零阈值NMOS管的源极与第一高阈值PMOS管的源极相连,零阈值NMOS管的源极作为单个电压基准电路的输出端与列译码器相连,零阈值NMOS管的栅极与第一高阈值PMOS管的栅极相连,第一高阈值PMOS管的漏极分别与第一高阈值PMOS管的栅极和第二高阈值PMOS管的源极相连,第二高阈值PMOS管的栅极与第二高阈值PMOS管的漏极相连并接地;
所述数字比较器包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、采样电容、与门和双向计数器,所述双向计数器的输出端作为PUF电路的输出端;第一PMOS管的源极接供电电源的正极,第一PMOS管的栅极分别与第一NMOS管的栅极和与门的一输入端相连,第一NMOS管的源极与第二NMOS管的漏极相连,第一PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极相连且和与门的另一输入端相连,与门的另一输入端通过采样电容接地,第二NMOS管的源极接地,第二NMOS管的栅极与列译码器的输出端相连,与门的输出端与双向计数器的使能端相连。
2.根据权利要求1所述的一种基于阈值电压基准的PUF电路,其特征在于:所述零阈值NMOS管的源极通过开关与列译码器相连。
3.根据权利要求1所述的一种基于阈值电压基准的PUF电路,其特征在于:所述阈值电压基准阵列为16×16电压基准阵列,16×16电压基准阵列包括16×16个相同的单个电压基准电路。
4.根据权利要求3所述的一种基于阈值电压基准的PUF电路,其特征在于:所述行译码器和列译码器均为4-16多路选择器。
5.根据权利要求3所述的一种基于阈值电压基准的PUF电路,其特征在于:所述PUF电路的输入端输入的激励信号为8位,其中4位激励信号输入行译码器,剩余4位激励信号输入列译码器。
6.根据权利要求1所述的一种基于阈值电压基准的PUF电路,其特征在于:所述双向计数器具有均用于外接的时钟信号端、复位端和计数方向控制端。
7.根据权利要求1所述的一种基于阈值电压基准的PUF电路,其特征在于:所述双向计数器的输出端包括计数位和符号位。
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