[发明专利]一种阵列基板及液晶显示面板

说明书

本申请涉及一种阵列基板及液晶显示面板，所述阵列基板包括玻璃基板，以及设置于所述玻璃基板之上的薄膜晶体管阵列，所述阵列基板还包括一配向电极层，包括至少两个平行共面设置的配向电极；一像素电极层，包括至少两个平行共面设置的像素电极；一公共电极层。本申请通过将HVA制程中的电极作为配向电极代替传统的IPS结构中的摩擦配向，减小了IPS制程中的摩擦痕，实现了较低操作电压达到较高的穿透率的技术效果。

技术领域

本申请涉及液晶显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及液晶显示面板。

背景技术

垂直配向(Vertical Alignment，以下简称VA)型液晶显示器，也叫垂直电场型液晶显示器，相对其他种类的液晶显示器具有极高的对比度，且无需使用摩擦(Rubbing)配向，在大尺寸显示，如电视等方面具有非常广的应用。而高垂直排列(High VerticalAlignment，以下简称HVA)模式是VA模式中一个重要的分支。HVA型液晶显示面板工作时是由阵列基板侧的像素电极和彩膜基板侧的公共电极形成的垂直电场来控制液晶层的液晶分子的旋转。

在水平电场型的液晶显示器中，施加在并排地放置在下基板上的像素电极与公共电极之间的水平电场驱动所谓的面内切换(In-Plane Switching，以下简称IPS)模式显示器的液晶。该水平电场型显示器由于平坦的基板上的液晶指向矢(director)的转动而具有宽视角的优点，但是它不利地表现在较差的透过率和较慢的响应时间。

此外，在IPS结构中，液晶配向使用的是传统摩擦配向制程，会对液晶分子造成摩擦痕(rubbing mura)。大尺寸化的液晶分子较难控制其均匀性，且只能一个方向配向，无法形成多方向配向技术。因此，有必要提出一种新型IPS结构，能够改善配向模式，提高响应时间。

发明内容

本申请的目的是，提出一种阵列基板及液晶显示面板，能够解决目前现有的面板结构中，IPS结构面临的穿透率差、响应时间慢等问题。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：

一种阵列基板，包括玻璃基板，以及设置于所述玻璃基板之上的薄膜晶体管阵列，所述阵列基板进一步包括：

一配向电极层，设置于所述玻璃基板之上，所述配向电极层包括至少两个配向电极，所述配向电极相互平行共面设置，之间具有第一狭缝，用于相邻两配向电极之间在施加电压时产生第一水平电场；

一像素电极层，设于所述玻璃基板与所述配向电极层之间，所述像素电极层包含至少两个像素电极，所述配向电极相互平行共面设置，之间具有第二狭缝，用于相邻两像素电极之间在施加电压时产生第二水平电场；

一公共电极层，设置于所述像素电极层与所述玻璃基板之间，用于提供同层各电极之间的电压差。

为解决上述技术问题，本申请采用的另外一个技术方案是：

一种液晶显示面板，包括彩膜基板，液晶层和阵列基板，所述液晶层设置与所述彩膜基板与所述阵列基板之间，所述彩膜基板和阵列基板与液晶层接触面还分别设有配向膜，所述阵列基板为如前任一所述的阵列基板。

本申请的有益效果是：区别于现有技术，本申请提出了一种液晶显示面板及显示器，通过使用将HVA制程中的电极作为配向电极代替传统的IPS结构中的摩擦配向，减小了穿透IPS制程中，因配向产生的摩擦痕；由于各电极层之间产生的电场没有共面交叉，操作信号不存在窜扰的情况，因此可以设置电极之间的间隔更小，从而可以通过较低的操作电压实现较高的穿透率。

附图说明

图1是本申请一种阵列基板的一个实施例结构截面示意图；

图2是本申请一种阵列基板的另外一个实施例结构截面示意图；

图3是本申请一种阵列基板中配向时液晶分子排布示意图；