[发明专利]AMOLED显示器及其驱动方法有效
申请号: | 201711159196.9 | 申请日: | 2017-11-20 |
公开(公告)号: | CN107833557B | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 王利民 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/3225 | 分类号: | G09G3/3225;G09G3/3266 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | amoled 显示器 及其 驱动 方法 | ||
1.一种AMOLED显示器,其特征在于,包括:显示面板(100)及与显示面板(100)电性连接的栅极驱动器(200);
所述显示面板(100)包括:阵列排布的子像素驱动电路(110)及与多行子像素驱动电路(110)对应的多个复用器(120);每一复用器(120)的控制端均接入复用控制信号(Mux_ctrl),第一输入端电性连接栅极驱动器(200),第二输入端接入恒压低电位(VGL),第一输出端连接对应一行子像素驱动电路(110)的第一控制端,第二输出端连接对应一行子像素驱动电路(110)的第二控制端;
所述栅极驱动器(200)用于分别向多个复用器(120)的第一输入端输出扫描信号(Gate);所述复用器(120)用于接收扫描信号(Gate),并在所述复用控制信号(Mux_ctrl)的控制下,使其第一输出端选择性输出扫描信号(Gate)或恒压低电位(VGL),及使其第二输出端选择性输出恒压低电位(VGL)或扫描信号(Gate);
当所述复用控制信号(Mux_ctrl)为高电位时,所述第一输出端输出扫描信号(Gate),所述第二输出端输出恒压低电位(VGL);当所述复用控制信号(Mux_ctrl)为低电位时,所述第一输出端输出恒压低电位(VGL),所述第二输出端输出扫描信号(Gate)。
2.如权利要求1所述的AMOLED显示器,其特征在于,所述扫描信号(Gate)与复用控制信号(Mux_ctrl)相组合,先后对应于一重置阶段(1)、一感测阶段(2)、一数据写入阶段(3)及一发光阶段(4);
在重置阶段(1),所述栅极驱动器(200)输出的扫描信号(Gate)先为高电位而后变为低电位,所述复用控制信号(Mux_ctrl)为高电位,所述复用器(120)的第一输出端先输出高电位然后输出低电位,第二输出端输出恒压低电位(VGL);
在感测阶段(2),所述栅极驱动器(200)输出的扫描信号(Gate)为高电位,所述复用控制信号(Mux_ctrl)为低电位,所述复用器(120)的第一输出端输出恒压低电位(VGL),第二输出端输出高电位;
在数据写入阶段(3),所述栅极驱动器(200)输出的扫描信号(Gate)为高电位,所述复用控制信号(Mux_ctrl)为低电位,所述复用器(120)的第一输出端输出恒压低电位(VGL),第二输出端输出高电位;
在发光阶段(4),所述栅极驱动器(200)输出的扫描信号(Gate)为低电位,所述复用控制信号(Mux_ctrl)为高电位,所述复用器(120)的第一输出端输出低电位,第二输出端输出恒压低电位(VGL)。
3.如权利要求2所述的AMOLED显示器,其特征在于,所述栅极驱动器(200)接入栅极输出控制信号(OE),所述栅极输出控制信号(OE)为脉冲信号,所述栅极驱动器(200)输出的扫描信号(Gate)在重置阶段(1)的低电位时长与栅极输出控制信号(OE)一周期内的高电位时长对应。
4.如权利要求2所述的AMOLED显示器,其特征在于,每一子像素驱动电路(110)均包括:第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、电容(C1)及有机发光二极管(D1);所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极为子像素驱动电路(110)的第二控制端,源极接入数据信号(Data),漏极电性连接第二薄膜晶体管(T2)的栅极;所述第二薄膜晶体管(T2)的漏极接入电源电压(OVDD),源极电性连接有机发光二极管(D1)的阳极;所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极为子像素驱动电路(110)的第一控制端,漏极电性连接第二薄膜晶体管(T2)的栅极,源极电性连接第四薄膜晶体管(T4)的源极;所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接第三薄膜晶体管(T3)的栅极,源极接入初始化电压(Vini),漏极电性连接有机发光二极管(D1)的阳极;所述电容(C1)的两端分别电性连接第二薄膜晶体管(T2)的栅极和源极;所述有机发光二极管(D1)的阴极接地。
5.如权利要求4所述的AMOLED显示器,其特征在于,在重置阶段(1)及感测阶段(2),所述数据信号(Data)为参考电压(Vref),在数据写入阶段(3)及发光阶段(4),所述数据信号(Data)为信号电压(Vdata)。
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