[发明专利]有机电致发光器件在审
申请号: | 201711151474.6 | 申请日: | 2017-11-18 |
公开(公告)号: | CN109817836A | 公开(公告)日: | 2019-05-28 |
发明(设计)人: | 段炼;张东东;宋晓增;蔡明瀚;魏金贝 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司;清华大学 |
主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54;H01L51/50 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 马永芬 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机电致发光器件 热活化 荧光 延迟荧光材料 外量子效率 荧光染料 主体材料 敏化 激基复合物 空穴传输层 传统荧光 发光效率 开启电压 荧光器件 发光层 敏化剂 面型 制备 延迟 | ||
本发明属于显示技术领域,具体涉及了一种有机电致发光器件,尤其涉及一种高效的荧光器件。发光层包括热活化延迟荧光材料、第一主体材料和荧光染料。空穴传输层能够与第一主体材料形成界面型激基复合物并通过热活化延迟荧光材料作为敏化剂进一步敏化荧光染料。本发明制备的热活化延迟荧光敏化荧光(TSF)有机电致发光器件,外量子效率超过了传统荧光器件约5%的外量子效率,大幅度提升了荧光OLED器件的发光效率,同时具备低开启电压、低滚降的等优点。
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种有机电致发光元件。
背景技术
有机电致发光二极管(organic light-emitting diodes,OLEDs)由于超薄、重量轻、能耗低、主动发光、视角宽、响应快等优点,在显示和照明领域有极大的应用前景,越来越受到人们的重视。
1987年,美国Eastman Kodak公司的邓青云(C.W.Tang)和Vanslyke首次报道了利用透明导电膜作阳极,Alq3作发光层,三芳胺作空穴传输层,Mg/Ag合金作阴极,制成了双层有机电致发光器件。传统荧光材料易于合成,材料稳定,器件寿命较长,但是由于电子自旋禁阻的原因最多只能利用25%的单线态激子进行发光,75%的三线态激子被浪费掉,器件外效率往往低于5%,需要进一步提高。
为了提高激子利用率,人们提出在分子中引入重金属原子,利用重原子效应来来实现单线态与三线态的旋轨耦合以此来利用75%的三线态激子,实现100%的内量子效率。但是由于含有重金属原子,材料成本较高限制了其进一步的发展。
能实现突破25%的内量子效率限制的荧光OLED器件主要采用热活化延迟荧光(TADF:Thermally Activated Delayed Fluorescence)机制。TADF机制是利用具有较小单重态-三重态能级差(ΔEST)的有机小分子材料,其三重态激子在吸收环境热能下可通过反向系间窜越(RISC)这一过程转化为单重态激子,理论上其器件内量子效率能达到100%。现有技术中,还存在荧光电致发光器件效率低的问题。
发明内容
因此,本发明要解决是现有技术中荧光电致发光器件效率低的问题。
为此,本发明提供一种有机电致发光器件,具有第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的有机功能层,所述有机功能层包括层叠设置的空穴传输层和发光层,其中,所述空穴传输层与发光层在界面处形成界面激基复合物。
前述有机电致发光器件中,发光层包括敏化材料、第一主体材料和荧光染料,所述敏化材料为热活化延迟荧光材料,,所述空穴传输层材料与所述发光层中第一主体材料形成界面激基复合物。
前述有机电致发光器件中,所述激基复合物的三线态能级小于所述空穴传输层材料的三线态能级,所述激基复合物的三线态能级小于所述第一主体材料的三线态能级。激基复合物的发射光谱较空穴传输材料以及第一主体材料有所红移。
前述有机电致发光器件中,激基复合物的单线态能级大于所述热活化延迟荧光材料的单线态能级;所述激基复合物的三线态能级大于所述热活化延迟荧光材料的三线态能级。
前述有机电致发光器件中,第一主体材料的的HOMO能级和LUMO能级的能级差大于2.5eV。
前述有机电致发光器件中,热活化延迟荧光材料的单线态与三线态能级差小于0.2eV。
前述有机电致发光器件中,荧光染料占所述第一主体材料质量的0.1-20%,优选地,为0.5-10%;所述热活化延迟荧光材料与所述第一主体材料质量的5-80%,优选为10-40%。
前述有机电致发光器件中,空穴传输层中含有具有传输空穴能力的空穴传输层材料,可根据需要设置单层或多层,空穴传输层材料为具有三级芳香胺或者咔唑单元的化合物,优选地,空穴传输层材料采用如下结构中的一种:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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