[发明专利]一种无铅PTC热敏电阻器件的制备方法在审
申请号: | 201711149314.8 | 申请日: | 2017-11-18 |
公开(公告)号: | CN107935587A | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 江明泓 | 申请(专利权)人: | 四川启兴电子有限公司 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;C04B35/622;H01C7/02 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司51230 | 代理人: | 赵宇,刘东 |
地址: | 611130 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ptc 热敏电阻 器件 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于电子元器件件技术领域,具体涉及一种无铅PTC热敏电阻器件的其制备方法。
背景技术
PTC热敏电阻器件广泛的用于计算机及其外部设备,移动电话,电池组,远程通讯等电子产品中,起到过电流或者过温保护的作用。特别是钛酸钡系正温度系数热敏电阻器件拥有比较大的温度系统数,其产生的一系列特性而在众多行业中拥有较好的应用。但是,目前为了提高PTC热敏电阻器件的居里温度,商业用钛酸钡基PTC热敏电阻器件都含有大量的铅,由于含铅热敏电阻器件在制备过程中存在PbO的挥发,不仅造成生产过程中陶瓷制品化学计量比的偏离,使得产品的一致性和重复性降低;而且铅会污染环境和伤害人体。
发明内容
针对上述热敏电阻器件中含有大量的铅,影响产品的一致性和重复性低以及污染环境和伤害人体的问题,本发明提供一种无铅PTC热敏电阻器件的其制备方法。
本发明采用的技术方案如下:
1.一种无铅PTC热敏电阻器件的制备方法,包括以下步骤:
(1)原材料的合成:
a.BaTiO3粉体的合成:将钡盐与钛酸酯在pH=9-11的氨水-碳酸氢铵的溶液中混合共沉淀,制得前驱体,将前驱体烘干后,在高温850-950℃条件下煅烧1-3h,获得BaTiO3粉体;
b.Na0.5Bi0.5TiO3的材料的合成:将原料以Na2CO3:Bi2O3:TiO2=1:1:2的比例进行混合球磨,然后置于马弗炉中,在高温于800~900℃保温2-4小时,得到纯相.Na0.5Bi0.5TiO3粉体;
(2)原材料混合:将原料以BaTiO3:Na0.5Bi0.5TiO3:CuO:Nb2O5:SiO2=0.93-0.95:0.05-0.06:0.0008-0.0015:0.0004-0.0005:0.005-0.01进行混合,混合均匀后获得预混料;
(3)球磨:步骤(2)的预混料:玛瑙:酒精=1:1.2-1.8:1.2-1.8,进行球磨,球磨时间为12-16h,获得球磨预混料;
(4)压片:将步骤(3)的球磨预混料与有机粘接剂混合造粒,将所得的粒子物质压片成型,获得片状预混料;
(5)烧结:将步骤(4)的片状预混料放入马弗炉中进行煅烧,获得陶瓷片;
(6)电极制备:将步骤(5)的陶瓷片进行表面研磨,去砂,超声清洗,清洗后印涂Al电极或者Ag电极作为底层电极,再印涂Ag电极作为表面电极,随后在Ag表面电极焊接引线,最后,进行包封,制得PTC热敏电阻器件。
本发明使用氨水-碳酸氢铵作为共沉淀的沉淀剂,能够制备纯度较高,且钡钛比例接近1的亚微米级的钛酸钡粉,同时,原料中添加有Na0.5Bi0.5TiO3,该物质能够提高BaTiO3基热敏电阻陶瓷材料的居里温度,所以在一定程度上可以补偿没有添加Pb而造成的居里温度的损失,同时,原料中还添加有CuO不仅可以提高居里温度,而且铜离子存在变价,在还原气氛中烧结Cu2+可以还原成Cu+,在降温阶段,Cu2+和Cu+共同在晶界处偏析,使得表面受主态密度增加,电阻突跳增大,从而提高PTC热敏电阻器件的性能。此外,还添加有Nb2O5,可以获得低的室温电阻率,同时,还添加有烧结助剂SiO2,烧结助剂SiO2在高温的条件下形成液相,可将有害杂质吸收于晶界处,有利于晶界的纯化,起到抑制晶粒和吸附有害杂质的作用,还能改善钛酸钡陶瓷的显微结构,提高耐高压,降低电压的效应。本发明的无铅PTC热敏电阻器件制备方法简便,并且制备的PTC热敏电阻器件具有低的室温电阻率和良好的PTC效应。且PTC热敏电阻器件中不含铅,不会对人体和环境造成危害,将有广阔的市场前景。
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