[发明专利]日光温室韭菜有机基质型无土栽培方法

权利要求书

1.日光温室韭菜有机基质型无土栽培方法，其特征在于：具体包括以下步骤：

步骤S1：建立无土栽培系统；

步骤S2：韭菜品种的选择；

步骤S3：育苗；

步骤S4：定植；

步骤S5：后期管理。

2.根据权利要求1所述的日光温室韭菜有机基质型无土栽培方法，其特征在于：所述步骤S1具体包括以下步骤：

步骤S11：挖栽培槽；具体是指：将地表活土移除，然后平整，喷湿，按140cm间隔，挖深20cm、宽100cm的栽培槽，槽背宽40cm，栽培槽南北向，稍倾斜，以利于排水；

采用半封闭式栽培，即在栽培槽两侧铺0.1mm厚的塑料薄膜，栽培槽底部不铺，再填充基质；

步骤S12：栽培基质；所述韭菜栽培基质按照以下组分比例制成：发酵稻壳∶腐熟牛粪∶腐熟鸡粪∶河沙=4∶5∶1∶1；发酵稻壳∶腐熟牛粪∶腐熟鸡粪∶河沙=4∶4∶1∶1；玉米或小麦秸秆发酵物料∶腐熟鸡粪∶河沙=4∶2∶1；将基质充分混匀后填入栽培槽内，压实后厚度为18cm，每亩基质用量85～95m³；

步骤S13：供水系统的选择；采用微喷系统，微喷直径10～15mm，顺槽间隔2m设置一个喷头；亦可采用微滴灌系统，每槽铺3～4条直径为25mm的微滴灌带，带上每30cm有3个以上的排水孔。

3.根据权利要求1所述的日光温室韭菜有机基质型无土栽培方法，其特征在于：所述步骤S2具体是指：选择适合保护地栽培的耐低温、耐弱光和抗病的韭菜品种。

4.根据权利要求1所述的日光温室韭菜有机基质型无土栽培方法，其特征在于：所述步骤S3具体包括以下步骤：

步骤S31：育苗地选择；

步骤S32：苗床准备；

步骤S33：种子准备；

步骤S34：播种；所述播种方法包括撒播和条播；

步骤S35：苗期管理；具体是指：设置覆盖物、水肥管理以及除草。

5.根据权利要求1所述的日光温室韭菜有机基质型无土栽培方法，其特征在于：所述步骤S4具体包括定值时期、秧苗处理以及定值方法。

6.根据权利要求1所述的日光温室韭菜有机基质型无土栽培方法，其特征在于：步骤S5具体包括：定植管理和扣棚后管理；

所述定植管理具体包括：罩防虫网、补栽及除草、水肥管理、绑架防倒、清理枯叶；

所述扣棚后管理具体包括扣棚时间、温度管理、湿度管理。

7.根据权利要求6所述的日光温室韭菜有机基质型无土栽培方法，其特征在于：所述温度管理具体是指：韭菜萌发长出后，在第一刀韭菜生长期间，白天温度应保持在17～23℃，夜间温度10～12℃；白天温度尽量不超过24℃，不允许有2～3小时的时间超过25℃或1～2小时的时间超过27℃；在以后各刀的生长期间，控制的温度上限均可比上一刀高2～3℃，但最高不得超过30℃。

8.根据权利要求6所述的日光温室韭菜有机基质型无土栽培方法，其特征在于：所述温度管理的控温措施具体是指：在严寒季节，扣严塑料薄膜，白天不通风或少通风，傍晚及早覆盖草苫；在早春温度升高后，逐渐加大通风口，增大通风量，早揭，晚盖；随着外界气温继续升高，夜间可不盖草苫；当夜间外界气温在12℃以上时，可全天敞开上下通风口。