[发明专利]高散射掺杂光波导反馈产生混沌光的单片集成激光器芯片

权利要求书

1.一种高散射掺杂光波导反馈产生混沌光的单片集成激光器芯片，其特征在于，该芯片包括DFB激光器结构，非掺杂光波导结构和高散射掺杂光波导结构，其中DFB激光器结构和高散射掺杂光波导结构分别分布在非掺杂光波导结构的两端；高散射掺杂光波导结构和非掺杂光波导结构唯一区别在于波导的有源层掺杂与否。

2.根据权利要求1所述高散射掺杂光波导反馈产生混沌光的单片集成激光器芯片，其特征在于，芯片中DFB激光器结构所对应的半导体材料带隙波长在1.55微米或大于1.55微米，非掺杂光波导结构以及高散射掺杂光波导结构所对应的半导体材料带隙波长在1.45微米或小于1.45微米。

3.根据权利要求1所述的高散射掺杂光波导反馈产生混沌光的单片集成激光器芯片，其特征在于，DFB激光器结构使用的有源区材料为应变量子阱材料，高散射掺杂光波导结构和非掺杂波导结构所使用的有源区材料为体材料。

4.根据权利要求1所述的高散射掺杂光波导反馈产生混沌光的单片集成激光器芯片，其特征在于，其中高散射掺杂光波导结构其掺杂元素为硅或铁或硼。

5.根据权利要求3所述的高散射掺杂光波导反馈产生混沌光的单片集成激光器芯片，其特征在于，DFB激光器结构、非掺杂光波导结构和高散射掺杂光波导结构的子器件集成在同一InP基片上所使用的方法有量子阱混杂或选择区域外延。