[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201711117419.5 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109786234B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 王伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供底部晶圆和顶部晶圆；
对所述底部晶圆和顶部晶圆实施键合工艺，使所述底部晶圆的顶表面与所述顶部晶圆的底面贴合，形成晶圆键合结构；
对所述晶圆键合结构实施第一边缘修剪工艺，从所述顶部晶圆的与底面相对的顶表面往下切割，切割至所述底部晶圆的预定厚度处，所述第一边缘修剪工艺具有自第一边缘修剪位置处距离顶部晶圆的边缘的第一宽度和自所述第一边缘修剪位置处距离顶部晶圆顶表面的第一深度；
对所述晶圆键合结构实施第二边缘修剪工艺，从所述顶部晶圆的顶表面往下切割，切割至所述顶部晶圆的预定厚度处，所述第二边缘修剪工艺具有自第二边缘修剪位置处距离所述顶部晶圆的边缘的第二宽度和自所述第二边缘修剪位置处距离所述顶部晶圆的顶表面的第二深度，其中所述第二宽度大于所述第一宽度，所述第二深度小于所述第一深度，以使所述顶部晶圆的边缘呈台阶状；以及
对所述晶圆键合结构实施第三边缘修剪工艺，所述第三边缘修剪工艺具有自第三边缘修剪位置处距离所述顶部晶圆的边缘的第三宽度和自所述第三边缘修剪位置处距离所述顶部晶圆顶表面的第三深度，其中所述第三宽度大于所述第一宽度且小于所述第二宽度，所述第三深度小于所述第一深度且大于所述第二深度，进一步形成最终的台阶状；
对所述顶部晶圆的顶表面实施研磨工艺。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一深度、所述第二深度和所述第三深度的尺寸依次为：755um-760um、695um-699um、700um-705um。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一宽度、所述第二宽度和所述第三宽度的尺寸依次为：1mm-1.2mm、1.8mm-2.0mm、1.4mm-1.6mm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一边缘修剪工艺同时对所述顶部晶圆和所述底部晶圆的边缘进行修剪，所述第二边缘修剪工艺和所述第三边缘修剪工艺仅对所述顶部晶圆的边缘进行修剪。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述底部晶圆包括MEMS晶圆。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一边缘修剪工艺、第二边缘修剪工艺和第三边缘修剪工艺由切割修边机完成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
