[发明专利]一种读干扰优化方法及装置

说明书

技术领域

本发明涉及存储技术领域，更具体地说，涉及一种读干扰优化方法，还涉及一种读干扰优化装置。

背景技术

闪存是一种在掉电后仍能保存其在掉电前保存的数据的存储器，也就是说即使掉电，闪存上的数据也不会丢失，因此闪存得到了广泛的应用。NAND是闪存的一种类型，其基本存储单元是页(Page)，每一页大小为16K；而NAND的擦除操作是以块(Block)为单位进行的，每个块包含了32个页单元。由于NAND的写入操作必须在空白区域进行，也就是说如果目标区域已经有数据，必须先将该区域的数据擦除后才能写入新的数据，可见擦除操作是使用NAND时的一种基本操作。当用户读取NAND中的数据时，用户所需要的数据所在的页中的全部数据会被缓存起来，若下一次需要的数据仍然在已经缓存起来的这一页时，用户可以直接从缓存中获得需要的数据，不必再次访问这一页，相应地也不必再次访问这一页所在的块。

在对NAND进行读操作的时候，如果对NAND中某个块单元重复进行读操作，那么读取的数据的错误率会增加，这就是读干扰。现有技术降低读干扰的方法为：为NAND中的每个块设置一个读干扰计数，用户每一次读取该NAND中某个块中的4K大小的数据时，就将设置的读干扰计数加1，当读干扰计数大于设置的最大读干扰计数时，就将该块中的数据搬移到另一个未写入数据的块。而原来的块中的数据必须要擦除，才能写入新的数据。由于每次擦除都会对块造成损坏，当擦除次数达到某个值时，这一块单元将无法再写入数据。因此，现有技术中的降低读干扰的方法会减少NAND的使用寿命。

综上所述，如何提供一种能延长NAND使用寿命的降低读干扰的方法，是目前本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种读干扰优化方法，能够延长NAND的使用寿命。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种读干扰优化方法，包括：

判断当前读请求对应的NAND页是否被缓存，若未被缓存，则将所述NAND页所在的NAND块的当前读干扰计数加1，并判断所述当前读干扰计数的值是否大于预设的阈值，若大于，则将所述NAND块中的数据迁移到新的NAND块中；

若被缓存，则拒绝将所述当前读干扰数加1。

优选的，判断出当前读干扰计数的值大于所述预设的阈值后，还包括：

发出超出阈值的提示。

优选的，将所述NAND块中的数据迁移到新的NAND块的过程中，还包括：

显示迁移的进度。

一种读干扰优化装置，包括：

判断单元，用于：判断当前读请求对应的NAND页是否被缓存；

计数单元，用于：当所述判断单元判断出所述NAND页未被缓存时，将所述NAND页所在的NAND块的当前读干扰计数加1，并判断所述当前读干扰计数的值是否大于预设的阈值，当所述判断单元判断出所述NAND页被缓存时，拒绝将当前读干扰计数加1；

数据迁移单元，用于：在计数单元判断出所述当前读干扰计数的值大于所述阈值时，将所述NAND块中的数据迁移到新的NAND块中。

优选的，还包括：

提示单元，用于：在所述计数单元判断出当前读干扰计数的值大于所述预设的阈值后，发出超出阈值的提示。

优选的，还包括：

显示单元，用于：在所述数据迁移单元将所述NAND块中的数据迁移到新的NAND块的过程中，显示迁移的进度。

本发明提供了一种读干扰优化方法及装置，该方法包括：判断当前读请求对应的NAND页是否被缓存，若未被缓存，则将所述NAND页所在的NAND块的当前读干扰计数加1，并判断所述当前读干扰计数的值是否大于预设的阈值，若大于，则将所述NAND块中的数据迁移到新的NAND块中；若被缓存，则拒绝将所述当前读干扰数加1。本发明实施例通过判断当前请求对应的页是否缓存来决定是否将当前读干扰计数进行加1，当该NAND页未被缓存时才加1，因此读干扰计数达到阈值的概率将减少，相应的将NAND块中的数据迁移到另一个数据的概率也就降低了，进而对NAND块进行擦除的概率也降低，所以可以延长NAND的使用寿命。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。