[发明专利]表面波等离子体设备

权利要求书

1.一种表面波等离子体设备，所述表面波等离子体设备包括依次相连的微波产生装置、微波传输装置和反应腔室，所述微波产生装置用于产生形成表面波等离子体的微波，其特征在于，所述微波传输装置包括波导和微波天线，所述微波天线包括基片集成波导和金属隔离件，所述金属隔离件将所述基片集成波导划分为至少两个子基片集成波导，所述波导的数量和所述子基片集成波导的数量相等且二者一一对应相连，所述微波产生装置产生的微波经由各个所述波导和与该波导对应的所述子基片集成波导耦合至所述反应腔室的不同区域，并且，通过分别调节耦合至所述反应腔室不同区域的微波功率，以使得在所述反应腔室内的不同区域形成均匀的表面波等离子体；

所述基片集成波导包括介质板和金属层，所述介质板包括与所述反应腔室相对的上下两个表面，所述金属层设置在该两个表面上，且所述介质板还设置有贯穿其厚度的多个第一金属通孔，所述第一金属通孔与上下两层金属层电连接，以将所述微波限定在多个所述第一金属通孔和上下两层金属层之间。

2.根据权利要求1所述的表面波等离子体设备，其特征在于，所述金属隔离件包括贯穿所述介质板的厚度的第二金属通孔。

3.根据权利要求1所述的表面波等离子体设备，其特征在于，所述介质板还设置有贯穿其厚度的第三通孔，所述金属隔离件包括金属柱，所述金属柱设置在所述第三通孔内。

4.根据权利要求2所述的表面波等离子体设备，其特征在于，所述介质板呈柱形，所述第一金属通孔和所述第二金属通孔均沿所述介质板的径向呈环形设置，且所述第一金属通孔处于所述介质板的边缘位置，所述第二金属通孔处于所述介质板的中间位置。

5.根据权利要求4所述的表面波等离子体设备，其特征在于，任意相邻两个所述第一金属通孔的中心距离大于所述第一金属通孔的直径且小于所述第一金属通孔的直径的两倍；和/或，

任意相邻两个所述第二金属通孔的中心距离大于所述第二金属通孔的直径且小于所述第二金属通孔的直径的两倍。

6.根据权利要求4所述的表面波等离子体设备，其特征在于，任意相邻两个所述第一金属通孔的中心距离与所述微波产生装置的微波频率所对应的截止波长相比大于0.05且小于0.25；和/或，

任意相邻两个所述第二金属通孔的中心距离与所述微波产生装置的微波频率所对应的截止波长相比大于0.05且小于0.25。

7.根据权利要求6所述的表面波等离子体设备，其特征在于，所述微波频率为2.45GHz，其中，

所述第一金属通孔直径大于5mm，且任意相邻两个所述第一金属通孔的中心距离为6～8mm；和/或，

所述第二金属通孔直径大于5mm，且任意相邻两个所述第二金属通孔的中心距离为6～8mm。

8.根据权利要求4所述的表面波等离子体设备，其特征在于，所述介质板的朝向所述反应腔室的金属层上设置有多个缝隙组，每个所述缝隙组对应一个所述子基片集成波导，且所述金属隔离件与所述缝隙组的位置互不重合。

9.根据权利要求8所述的表面波等离子体设备，其特征在于，每一个所述缝隙组沿所述介质板的表面呈环形设置，且每一个所述缝隙组所形成的环形与所述第一金属通孔所形成的环形、所述第二金属通孔所形成的环形同心。

10.根据权利要求1至9中任意一项所述的表面波等离子体设备，其特征在于，所述表面波等离子体设备还包括密封件，所述密封件设置在所述反应腔室和所述基片集成波导之间，以密封所述反应腔室。