[发明专利]晶体管和晶体管制造方法

权利要求书

1.一种晶体管结构，其特征在于，包括：

源极，

漏极，以及

源极和漏极之间的有源层；

绝缘层，形成在有源层上；

介电层，形成在绝缘层上；

栅极，形成在介电层上；

钝化层，形成在栅极上；

所述有源层包括二氧化硅框架，所述二氧化硅框架内设置包含铟镓锌氧化物的合成纳米材料；

所述二氧化硅框架包括多个圆柱形的孔洞，所述孔洞贯穿二氧化硅框架，所述合成纳米材料填充于所述孔洞内；

所述合成纳米材料还包括锗和硅；

所述孔洞的直径范围是2-7纳米；所述孔洞的孔壁厚度范围是1-2纳米。

2.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述二氧化硅框架采用有机分子模版自组装技术制成。

3.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述孔洞按六边形规则排布。

4.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述孔洞的孔壁上设置有铟镓锌氧化材料的纳米晶体。

5.一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成源极和漏极，以及源极和漏极之间的有源层；

在有源层上形成绝缘层；

在绝缘层上形成介电层；

在介电层上形成栅极；

在栅极上形成钝化层；

所述有源层的形成方法包括：

在晶体管的有源层结构中形成二氧化硅框架；

在二氧化硅框架内形成包含铟镓锌氧化物的合成纳米材料；

所述二氧化硅框架包括多个圆柱形的孔洞，所述孔洞贯穿二氧化硅框架，所述合成纳米材料填充于所述孔洞内；

所述合成纳米材料还包括锗和硅；

所述孔洞的直径范围是2-7纳米；所述孔洞的孔壁厚度范围是1-2纳米。

6.根据权利要求5所述的晶体管的制作方法，其特征在于，所述形成二氧化硅框架的方法包括：

形成胶束；

将胶束形成胶束棒；

将胶束棒按六角形排列形成六角形阵列；

将六角形阵列根据有机分子模板自组装机制形成模板中间组；

将模板中间组培烧去除模板形成二氧化硅框架。