[发明专利]基于NMOS的电压调节器有效

专利信息
申请号: 201711074891.5 申请日: 2017-11-03
公开(公告)号: CN108021177B 公开(公告)日: 2021-05-04
发明(设计)人: 王格 申请(专利权)人: 恩智浦有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 倪斌
地址: 荷兰埃因霍温高科*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 基于 nmos 电压 调节器
【权利要求书】:

1.一种电压调节器,其特征在于,包括:

电源输入;

调节后的电压输出;

输出晶体管,其被配置成基于控制电压,将来自所述电源输入的第一电流提供到所述调节后的电压输出;和

电流放大器,其被配置成基于所述控制电压,将来自所述电源输入的第二电流提供到所述调节后的电压输出;

其中所述输出晶体管和所述电流放大器并联耦合于所述电源输入与所述调节后的电压输出之间;

所述电流放大器包括配置为供应第二电流的第一部分的放大器控制电路和配置为供应第二电流的第二部分的放大电流电路,所述放大器控制电路和所述放大电流电路并联耦合于所述电源输入与所述调节后的电压输出之间;

所述放大器控制电路被配置成感测发送到所述输出晶体管的所述控制电压和所述第二电流的仅第一部分,并且作为响应命令所述放大电流电路供应所述第二电流的第二部分。

2.根据权利要求1所述的调节器,其特征在于:

其进一步包括电压控制器,所述电压控制器被配置成将电压参考与从所述调节后的电压输出接收的反馈电压进行比较,并且作为响应,产生所述控制电压。

3.根据权利要求1所述的调节器,其特征在于:

所述输出晶体管是NMOS晶体管,所述NMOS晶体管具有耦合到所述电源输入的漏极、耦合到所述调节后的电压输出的源极以及被耦合以接收所述控制电压的栅极。

4.根据权利要求1所述的调节器,其特征在于:

所述电流放大器供应到所述调节后的电压输出的所述第二电流是所述电源输入与所述输出晶体管之间的所述第一电流的倍数。

5.根据权利要求1所述的调节器,其特征在于:

所述电流放大器是所述电压调节器的输出级的部分。

6.根据权利要求1所述的调节器,其特征在于:

所述电流放大器被配置成减少所述调节后的电压输出下的电压阶跃和/或电压尖峰。

7.根据权利要求1所述的调节器,其特征在于:

所述电压调节器嵌入于以下各项中的至少一个中:壁式充电器、无线充电器、移动电话,或USB连接器、笔记本适配器、TV适配器,或PC适配器。

8.一种用于在装置中进行电压调节的方法,所述装置具有电源输入、调节后的电压输出,以及并联耦合到所述电源输入和所述调节后的电压输出的输出晶体管和电流放大器,电流放大器包括放大器控制电路和放大电流电路,放大器控制电路和放大电流电路并联耦合于电源输入与调节后的电压输出之间,其特征在于,包括:

基于控制电压,将来自所述输出晶体管的第一电流提供到所述调节后的电压输出;

基于所述控制电压,将来自所述电流放大器的第二电流提供到所述调节后的电压输出;

从放大器控制电路供应第二电流的第一部分;

从放大电流电路供应第二电流的第二部分;

感测发送到输出晶体管的控制电压和第二电流的仅第一部分;以及

命令放大电流电路基于所述感测来向调节后的电压输出供应第二电流的第二部分。

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