[发明专利]一种频域介电响应测试的温度校正方法及设备有效
申请号: | 201711071836.0 | 申请日: | 2017-11-03 |
公开(公告)号: | CN107991536B | 公开(公告)日: | 2023-06-13 |
发明(设计)人: | 秦少瑞;张大宁;牛朝滨;丁国成;朱太云;宋东波;秦金飞;吴兴旺;张晨晨;尹睿涵 | 申请(专利权)人: | 国家电网公司;国网安徽省电力公司电力科学研究院;西安交通大学 |
主分类号: | G01R27/26 | 分类号: | G01R27/26;G01R35/00 |
代理公司: | 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 | 代理人: | 罗啸 |
地址: | 100031 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 频域介电 响应 测试 温度 校正 方法 设备 | ||
1.一种频域介电响应测试的温度校正方法,其特征在于,所述方法包括:
在频域介电谱FDS测试之前,测量电介质的温度;
将高频信号施加到所述电介质上,得到所述电介质在所述高频信号下的介质损耗参数;
根据所述FDS测试之前测量得到的电介质的温度,以及所述电介质在所述高频信号下的介质损耗参数,确定在所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质的温度的对应关系;
在对所述FDS测试时,将所述高频信号与待测频率信号合成,将合成后的信号施加到所述电介质上,得到所述合成信号在各频点的介质损耗参数;
根据所述合成信号各频点的介质损耗参数,以及根据所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质温度的对应关系,确定同一温度下所述待测频率信号的各频点的介质损耗参数。
2.如权利要求1所述的一种频域介电响应测试的温度校正方法,其特征在于,将所述在频域介电谱FDS测试之前,所测量的介质损耗参数的温度,作为所述高频信号下所述电介质的初始温度。
3.如权利要求1所述的一种频域介电响应测试的温度校正方法,其特征在于,所述根据所述FDS测试之前测量得到的电介质的温度,以及所述电介质在所述高频信号下的介质损耗参数,确定在所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质的温度的对应关系,具体为:
将所述高频信号的介质损耗参数以及所述电介质的温度,通过阿伦纽斯方程算法得到,多个温度下所述高频信号的介质损耗参数,从而得到所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质温度的对应关系。
4.如权利要求3所述的一种频域介电响应测试的温度校正方法,其特征在于,所述根据所述合成信号各频点的介质损耗参数,以及根据所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质温度的对应关系,确定同一温度下所述待测频率信号的各频点的介质损耗参数,具体为:
所述根据所述合成信号各频点的介质损耗参数以及所述高频信号下电介质的介质损耗参数与电介质温度的关系,确定所述待测频率信号各频点的介质损耗参数,以及所述待测频率信号各频点的介质损耗参数与温度的对应关系;
根据所述待测频率信号各频点的介质损耗参数,以及所述待测频率信号各频点的介质损耗参数与温度的对应关系,确定同一温度下所述待测频率信号的各频点的介质损耗参数。
5.如权利要求1所述的一种频域介电响应测试的温度校正方法,其特征在于,在将所述高频信号与所述待测试频率信号合成之后,包括:
对所述合成后的信号进行放大。
6.如权利要求1所述的一种频域介电响应测试的温度校正方法,其特征在于,在所述将合成后的信号施加到所述电介质上之后,包括:
测量所述电介质的响应电流信号,以及测量所述电介质的激励电压信号,根据所述响应电流信号以及所述激励电压信号,得到所述合成信号在相应频点的介质损耗参数。
7.一种频域介电响应测试方法,其特征在于,所述方法包括:
在频域介电谱FDS测试之前,测量电介质的温度;
将高频信号施加到所述电介质上,得到所述电介质在所述高频信号下的介质损耗参数;
根据所述FDS测试之前测量得到的电介质的温度,以及所述电介质在所述高频信号下的介质损耗参数,确定在所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质的温度的对应关系;
在对所述FDS测试时,将所述高频信号与待测频率信号合成,将合成后的信号施加到所述电介质上,得到所述合成信号在各频点的介质损耗参数;
根据所述合成信号各频点的介质损耗参数,以及根据所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质温度的对应关系,确定同一温度下所述待测频率信号的各频点的介质损耗参数;
将所述同一温度下的所述待测频率信号的各频点的介质损耗参数与FDS测试数据库中的介电谱进行比较分析,得到所述电介质的主绝缘体的损耗参数。
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