[发明专利]纳米压印模板及其制作方法和应用在审

专利信息
申请号: 201711043937.7 申请日: 2017-10-31
公开(公告)号: CN107643652A 公开(公告)日: 2018-01-30
发明(设计)人: 杨勇;崔宏青 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00;B82Y40/00
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 代理人: 孙伟峰
地址: 430070 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 纳米 压印 模板 及其 制作方法 应用
【权利要求书】:

1.一种纳米压印模板,其特征在于,包括模板主体、设置在所述模板主体上的若干光刻胶微结构、以及包覆在所述光刻胶微结构外层的氟橡胶聚合物层;其中,所述氟橡胶聚合物层与所述模板主体之间具有键结作用,以使所述氟橡胶聚合物层固定连接在所述模板主体的表面。

2.根据权利要求1所述的纳米压印模板,其特征在于,所述氟橡胶聚合物层的厚度为50nm~100nm。

3.根据权利要求1或2所述的纳米压印模板,其特征在于,所述氟橡胶聚合物层的材料具有如式1所示的结构:

4.根据权利要求1所述的纳米压印模板,其特征在于,所述氟橡胶聚合物层具有网状结构。

5.一种纳米压印模板的制作方法,其特征在于,包括步骤:

S1、在模板主体上涂覆光刻胶层,并对所述光刻胶层进行显影蚀刻处理,在所述模板主体上形成若干光刻胶微结构;

S2、将具有所述光刻胶微结构的模板主体浸入含有三甲基三(3-氟丙基)环三硅氧烷和四甲基四乙烯基环四硅氧烷的有机溶液中,在催化剂的作用下,所述三甲基三(3-氟丙基)环三硅氧烷和所述四甲基四乙烯基环四硅氧烷发生催化聚合反应,在所述光刻胶微结构外层包覆形成氟橡胶聚合物层;其中,所述氟橡胶聚合物层通过键结作用固定连接在所述模板主体的表面。

6.根据权利要求5所述的制作方法,其特征在于,所述氟橡胶聚合物层的厚度为50nm~100nm。

7.根据权利要求5或6所述的制作方法,其特征在于,所述制作方法还包括步骤:

S3、对具有所述氟橡胶聚合物层的模板主体进行硫化处理,使所述氟橡胶聚合物层形成网状结构。

8.根据权利要求5或6所述的制作方法,其特征在于,所述氟橡胶聚合物层的材料具有如式1所示的结构:

9.一种微结构基板的制作方法,其特征在于,包括步骤:

Q1、在压印基板上涂覆压印胶层;

Q2、在所述压印胶层上涂覆聚四氟乙烯粉末层,所述聚四氟乙烯分膜层经煅烧、冷却处理,在所述压印胶层上形成隔离层;

Q3、采取如权利要求1-4任一所述的纳米压印模板在所述隔离层上进行压印工艺,在所述压印基板上形成掩膜;

Q4、蚀刻未被所述掩膜遮掩的压印基板,并去除所述掩膜,形成微结构基板。

10.根据权利要求9所述的制作方法,其特征在于,所述步骤Q2的具体方法包括:

在所述压印胶层上喷涂厚度为10nm~30nm的聚四氟乙烯粉末层;

将所述聚四氟乙烯分膜层在200℃~250℃下煅烧,并经冷却处理,在所述压印胶层上形成所述隔离层。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711043937.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top