[发明专利]纳米压印模板及其制作方法和应用在审
申请号: | 201711043937.7 | 申请日: | 2017-10-31 |
公开(公告)号: | CN107643652A | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 杨勇;崔宏青 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 压印 模板 及其 制作方法 应用 | ||
1.一种纳米压印模板,其特征在于,包括模板主体、设置在所述模板主体上的若干光刻胶微结构、以及包覆在所述光刻胶微结构外层的氟橡胶聚合物层;其中,所述氟橡胶聚合物层与所述模板主体之间具有键结作用,以使所述氟橡胶聚合物层固定连接在所述模板主体的表面。
2.根据权利要求1所述的纳米压印模板,其特征在于,所述氟橡胶聚合物层的厚度为50nm~100nm。
3.根据权利要求1或2所述的纳米压印模板,其特征在于,所述氟橡胶聚合物层的材料具有如式1所示的结构:
4.根据权利要求1所述的纳米压印模板,其特征在于,所述氟橡胶聚合物层具有网状结构。
5.一种纳米压印模板的制作方法,其特征在于,包括步骤:
S1、在模板主体上涂覆光刻胶层,并对所述光刻胶层进行显影蚀刻处理,在所述模板主体上形成若干光刻胶微结构;
S2、将具有所述光刻胶微结构的模板主体浸入含有三甲基三(3-氟丙基)环三硅氧烷和四甲基四乙烯基环四硅氧烷的有机溶液中,在催化剂的作用下,所述三甲基三(3-氟丙基)环三硅氧烷和所述四甲基四乙烯基环四硅氧烷发生催化聚合反应,在所述光刻胶微结构外层包覆形成氟橡胶聚合物层;其中,所述氟橡胶聚合物层通过键结作用固定连接在所述模板主体的表面。
6.根据权利要求5所述的制作方法,其特征在于,所述氟橡胶聚合物层的厚度为50nm~100nm。
7.根据权利要求5或6所述的制作方法,其特征在于,所述制作方法还包括步骤:
S3、对具有所述氟橡胶聚合物层的模板主体进行硫化处理,使所述氟橡胶聚合物层形成网状结构。
8.根据权利要求5或6所述的制作方法,其特征在于,所述氟橡胶聚合物层的材料具有如式1所示的结构:
9.一种微结构基板的制作方法,其特征在于,包括步骤:
Q1、在压印基板上涂覆压印胶层;
Q2、在所述压印胶层上涂覆聚四氟乙烯粉末层,所述聚四氟乙烯分膜层经煅烧、冷却处理,在所述压印胶层上形成隔离层;
Q3、采取如权利要求1-4任一所述的纳米压印模板在所述隔离层上进行压印工艺,在所述压印基板上形成掩膜;
Q4、蚀刻未被所述掩膜遮掩的压印基板,并去除所述掩膜,形成微结构基板。
10.根据权利要求9所述的制作方法,其特征在于,所述步骤Q2的具体方法包括:
在所述压印胶层上喷涂厚度为10nm~30nm的聚四氟乙烯粉末层;
将所述聚四氟乙烯分膜层在200℃~250℃下煅烧,并经冷却处理,在所述压印胶层上形成所述隔离层。
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