[发明专利]一种改善面板外围TITO残留的方法及光罩

说明书

本发明提供一种光罩，设置于一面板上方；面板上设有平坦层，且平坦层上有多个沟槽，平坦层上方涂抹有一层TITO；光罩设有全透光区、半透光区和不透光区；全透光区分别设置于面板显示区外围所对应沟槽的正上方；半透光区分别设置于面板显示区所对应沟槽的正上方；不透光区分别设置于面板所对应除沟槽之外的每一个地方的正上方。全透光区导引具有预设光强的光线曝光并去除干净显示区外围每一沟槽内的TITO；半透光区虽减弱该预设光强光线的强度，但也曝光并去除干净显示区上每一沟槽内的TITO；而不透光区阻挡该预设光强的光线避免曝光TITO。实施本发明，能够改善在面板外围区有TITO残留的现象，从而提高抗静电等信赖性。

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种改善面板外围顶部铟锡氧化物(TITO，Top Indium Tin Oxide)残留的方法及光罩。

背景技术

如图1和图2所示，在使用低温多晶硅(LTPS，Low Temperature Poly-silicon)元件制作面板过程中，光罩1^/设置于面板2^/的上方，该光罩1^/在与面板2^/的显示区A^/及其外围B^/都需相应被蚀刻的区域设计成全透光区11^/，而不需被蚀刻的区域保留为不透光区13^/，然而由于面板2^/显示区外围B^/需要被曝光的面积较大，使得面板的显示区A^/及其外围B^/因图形密度不同而存在曝光程度不一致的现象，因此造成面板显示区外围B^/所对应平坦层21^/沟槽L^/内有部分光阻残留，从而在TITO湿蚀刻时不能蚀刻干净光阻下面的膜层，使得TITO 22^/残留在外围基板上，缩短了切割线到面板周边环绕防静电线路M^/的距离，降低了抗静电力。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种改善面板外围TITO残留的方法及光罩，能够改善在面板外围区有TITO残留的现象，从而提高抗静电等信赖性。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种光罩，其设置于一面板上方；其中，所述面板上设有平坦层，且所述平坦层上蚀刻有多个开口向上的沟槽，并在所述平坦层上方涂抹有一层顶部铟锡氧化物；所述光罩上设有全透光区、半透光区和不透光区；

其中，所述全透光区分别设置于所述面板显示区外围所对应平坦层上每一个沟槽的正上方；

所述半透光区分别设置于所述面板显示区所对应平坦层上每一个沟槽的正上方；

所述不透光区分别设置于所述面板显示区及显示区外围所对应平坦层上除所述多个沟槽之外的每一个地方的正上方；

其中，所述全透光区直接导引具有预设光强的光线曝光并去除干净所述面板显示区外围所对应平坦层上每一沟槽内的顶部铟锡氧化物；所述半透光区减弱所述具有预设光强的光线的强度至一定程度后曝光并去除干净所述面板显示区所对应平坦层上每一沟槽内的顶部铟锡氧化物；所述不透光区阻挡所述具有预设光强的光线避免曝光所述面板显示区及显示区外围所对应平坦层上除所述多个沟槽之外的每一个地方的顶部铟锡氧化物。

其中，所述平坦层的每一沟槽的外部轮廊线均呈倒梯形状或倒三角形状，且所述平坦层的每一沟槽顶部的开口直径均大于其底部开口直径。

其中，所述全透光区的长度均与位于所述显示区外围内其对应沟槽朝向所述光罩方向一端的开口直径相等。

其中，所述半透光区的长度均与位于所述显示区内其对应沟槽朝向所述光罩方向一端的开口直径相等。

其中，所述不透光区的长度均与所述平坦层上除所述多个沟槽之外其对应的某一地方的长度相等。