[发明专利]一种改善面板外围TITO残留的方法及光罩有效
申请号: | 201711043810.5 | 申请日: | 2017-10-31 |
公开(公告)号: | CN107643657B | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 曾霜华 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 潘中毅;熊贤卿 |
地址: | 430000 湖北省武汉市武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改善 面板 外围 tito 残留 方法 | ||
1.一种光罩,其设置于一面板(2)上方;其中,所述面板(2)上设有平坦层(21),且所述平坦层(21)上蚀刻有多个开口向上的沟槽(L),并在所述平坦层(21)上方涂抹有一层顶部铟锡氧化物(22);所述光罩上设有全透光区(11)、半透光区(12)和不透光区(13);
其特征在于,所述全透光区(11)分别设置于所述面板(2)显示区外围(B)所对应平坦层(21)上每一个沟槽(L)的正上方;
所述半透光区(12)分别设置于所述面板(2)显示区(A)所对应平坦层(21)上每一个沟槽(L)的正上方;
所述不透光区(13)分别设置于所述面板(2)显示区(A)及显示区外围(B)所对应平坦层(21)上除所述多个沟槽(L)之外的每一个地方的正上方;
其中,所述全透光区(11)直接导引具有预设光强的光线曝光并去除干净所述面板(2)显示区外围(B)所对应平坦层(21)上每一沟槽(L)内的顶部铟锡氧化物;所述半透光区(12)减弱所述具有预设光强的光线的强度至一定程度后曝光并去除干净所述面板(2)显示区(A)所对应平坦层(21)上每一沟槽(L)内的顶部铟锡氧化物;所述不透光区(13)阻挡所述具有预设光强的光线避免曝光所述面板(2)显示区(A)及显示区外围(B)所对应平坦层(21)上除所述多个沟槽(L)之外的每一个地方的顶部铟锡氧化物(22)。
2.如权利要求1所述的光罩,其特征在于,所述平坦层(21)的每一沟槽(L)的外部轮廊线均呈倒梯形状或倒三角形状,且所述平坦层(21)的每一沟槽(L)顶部的开口直径均大于其底部开口直径。
3.如权利要求2所述的光罩,其特征在于,所述全透光区(11)的长度均与位于所述显示区外围(B)内其对应沟槽(L)朝向所述光罩方向一端的开口直径相等。
4.如权利要求3所述的光罩,其特征在于,所述半透光区(12)的长度均与位于所述显示区(A)内其对应沟槽(L)朝向所述光罩方向一端的开口直径相等。
5.如权利要求4所述的光罩,其特征在于,所述不透光区(13)的长度均与所述平坦层(21)上除所述多个沟槽(L)之外其对应的某一地方的长度相等。
6.一种改善面板外围TITO残留的方法,包括:
选定一面板;其中,所述面板上设有平坦层,且所述平坦层上蚀刻有多个开口向上的沟槽,并在所述平坦层上方涂抹有一层顶部铟锡氧化物;
在所选面板上方设置一光罩,且所述光罩上设有全透光区、半透光区和不透光区;
其特征在于,所述方法进一步包括:所述全透光区分别对应设置于所述面板显示区外围所对应平坦层上每一个沟槽的正上方,将所述半透光区分别对应设置于所述面板显示区所对应平坦层上每一个沟槽的正上方,以及将所述不透光区分别对应设置于所述面板显示区及显示区外围所对应平坦层除所述多个沟槽之外的每一个地方的正上方;
采用具有预设光强的光线通过所述光罩对所选面板进行曝光处理,使得所述全透光区直接导引所述具有预设光强的光线曝光并去除干净所述面板显示区外围所对应平坦层上每一沟槽内的顶部铟锡氧化物,使得所述半透光区减弱所述具有预设光强的光线的强度至一定程度后曝光并去除干净所述面板显示区所对应平坦层上每一沟槽内的顶部铟锡氧化物,以及使得所述不透光区阻挡所述具有预设光强的光线避免曝光所述面板显示区及显示区外围所对应平坦层除所述多个沟槽之外每一个地方的顶部铟锡氧化物。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述平坦层的每一沟槽的外部轮廊线均呈倒梯形状或倒三角形状,且所述平坦层的每一沟槽顶部的开口直径均大于其底部开口直径。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述全透光区的长度均与位于所述显示区外围内其对应沟槽朝向所述光罩方向一端的开口直径相等。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述半透光区的长度均与位于所述显示区内其对应沟槽朝向所述光罩方向一端的开口直径相等。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述不透光区的长度均与所述平坦层上除所述多个沟槽之外其对应的某一地方的长度相等。
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