[发明专利]一种多晶片料清洗方法

说明书

本发明公开了一种多晶片料清洗方法，针对碎片料中各种非硅杂质逐一去除，不仅可以有效去除多晶碎片料中含有的杂质以及表面附着的浆料，金属等，提升碎片料的清洗质量，使得多晶碎片料的质量达到高纯度硅料要求，同时可降低分选工人劳动强度，提高生产效率和经济效益。

技术领域

本发明涉及一种多晶片料清洗方法，应用于料理工序半自动岗位。

背景技术

多晶片料为多晶小方锭经过砂浆切割或者金刚线切割后形成的碎片，其碎片中含有大量非硅杂质（玻璃、胶条、钢线，螺丝等），表面还附着浆料、金属离子、氧化层，传统方法统一采取碱洗——漂洗——混酸中和——漂洗——烘干——分选——包装，通常这种方法清洗出来的碎片表面存在碱斑，水斑，以及玻璃、胶条、钢线，螺丝等非硅杂质，工人分选难度大，且难以全部分选出，碎片料质量无法达到高纯度要求，再回炉质量波动大。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种针对多晶碎片料中存在的非硅杂质逐一去除的清洗方法，以提高多晶片料纯度。

本发明具体采用如下技术方案：

第一步：碎片料经过磁辊式输送带除铁器吸出其中含有的铁磁性杂质；

第二步：经过采用电磁耦合平衡接收原理的有色金属过滤器，将碎片中的金属杂质去除；

第三步：使用800-850度高温煅烧，将碎片料中含胶物质分解成粉末状；

第四步：使用70%浓度以上的纯氢氟酸溶液浸泡碎片料24h-48h，将碎片料中玻璃溶解且去除碎片料表面氧化层；

第五步：使用99%纯度以上的氢氧化钠水溶液腐蚀碎片料，用量为每4kg氢氧化钠腐蚀碎片料30kg，去除碎片料表面附着的浆料、杂质等，腐蚀时间控制在3-4分钟；

第六步：使用氢氟酸和盐酸按重量比1:5比例中和的溶液对碎片料进行漂洗，然后进行烘干、分选、包装。

通过本发明对多晶碎片料清洗方法的改进，针对碎片料中各种非硅杂质逐一去除，不仅可以有效去除多晶碎片料中含有的杂质以及表面附着的浆料，金属等，提升碎片料的清洗质量，使得多晶碎片料的质量达到高纯度硅料要求，同时可降低分选工人劳动强度，提高生产效率和经济效益。

具体实施方式

实施例一

本发明的高纯度多晶片料清洗方法包括如下步骤：

第一步：碎片料经过磁辊式输送带除铁器吸出其中含有铁磁性杂质，磁辊的磁场强度为背景14000GS，梯度18000GS；

第二步：经过采用电磁耦合平衡接收原理的有色金属过滤器，将碎片中的金属杂质去除；

第三步：使用800度高温煅烧，将碎片料中含胶物质分解成粉末状；

第四步：使用70%浓度的纯氢氟酸溶液浸泡碎片料48h，将碎片料中玻璃溶解且去除表面氧化层；

第五步：使用99%纯度以上的氢氧化钠溶液腐蚀碎片料，用量为每4kg氢氧化钠腐蚀碎片料30kg，去除碎片料表面附着的浆料、杂质等，腐蚀时间控制在3-4分钟，理论上可以腐蚀硅表面2.5微微米。

第六步：使用氢氟酸和盐酸按重量比1:5比例中和的溶液对碎片料进行漂洗，然后进行烘干、分选、包装。

实施例二

本发明的高纯度多晶片料清洗方法包括如下步骤：

第一步：碎片料经过磁辊式输送带除铁器吸出其中含有铁磁性杂质，磁辊的磁场强度为背景14000GS，梯度18000GS；