[发明专利]一种多晶片料清洗方法有效
| 申请号： | 201711036945.9 | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN107716431B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 姚翠云;孟涛;路景刚 | 申请（专利权）人： | 镇江环太硅科技有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;B03C1/30 |
| 代理公司： | 32256 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 任立;艾中兰 |
| 地址： | 212200 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 清洗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶片料清洗方法，其特征在于包括如下步骤：
第一步：碎片料经过磁辊式输送带除铁器吸出其中含有的铁磁性杂质；
第二步：经过采用电磁耦合平衡接收原理的有色金属过滤器，将碎片中的金属杂质去除；
第三步：使用800-850度高温煅烧，将碎片料中含胶物质分解成粉末状；
第四步：使用70％浓度以上的纯氢氟酸溶液浸泡碎片料24h-48h，将碎片料中玻璃溶解且去除碎片料表面氧化层；
第五步：使用99％纯度以上的氢氧化钠水溶液腐蚀碎片料，用量为每4kg氢氧化钠腐蚀碎片料30kg，去除碎片料表面附着的浆料、杂质，腐蚀时间控制在3-4分钟；
第六步：使用氢氟酸和盐酸按重量比1:5比例中和的溶液对碎片料进行漂洗，然后进行烘干、分选、包装。
2.如权利要求1所述的多晶片料清洗方法，其特征在于第五步，硅表面腐蚀深度为2.5微微米。
3.如权利要求1所述的多晶片料清洗方法，其特征在于第一步，磁辊的磁场强度为背景14000GS，梯度18000GS。
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