[发明专利]一种降低军用厚膜、薄膜片式电阻器可焊性不良率的方法在审

专利信息
申请号: 201711033512.8 申请日: 2017-10-30
公开(公告)号: CN109722692A 公开(公告)日: 2019-05-07
发明(设计)人: 简佩;韩玉成;王家学;鲁廷祥 申请(专利权)人: 中国振华集团云科电子有限公司
主分类号: C25D7/00 分类号: C25D7/00;C25D5/12;C25D5/34;C25D5/48;B08B3/04
代理公司: 昆明合众智信知识产权事务所 53113 代理人: 张玺
地址: 550000 贵州省*** 国省代码: 贵州;52
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摘要:
搜索关键词: 电阻器 可焊性 水洗槽 不良率 片式电阻器 去离子水 中和处理 放入 厚膜 军品 薄膜 清洗 电镀电阻器 连续不断 质量隐患 电镀 镍处理 前处理 酸活化 中和液 烘干 镀镍 返工 锡铅 中和 节约 投诉 客户
【权利要求书】:

1.一种降低军用厚膜、薄膜片式电阻器可焊性不良率的方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)前处理:对电阻器进行前处理;

(2)水洗:将进行前处理后的电阻器水洗;

(3)镍处理:根据产品规格、型号选择相应的电镀电流,对水洗之后的电阻器镀镍;

(4)水洗:将镀镍后的电阻器依次放入三个水洗槽中进行清洗,每一个水洗槽中的清洗时间为120秒,在水洗槽中水洗时,连续不断地向水洗槽中加入去离子水,所述去离子水的流量不低于10L/分钟;

(5)酸活化:将经由步骤(4)水洗之后的电阻器进行酸活化;

(6)锡铅处理:根据产品规格、型号选择相应的电镀电流,镀锡铅时间120分钟;

(7)水洗:将锡铅处理后的电阻器依次放入三个水洗槽中进行清洗,每一个水洗槽中的清洗时间为180秒;

(8)中和:将步骤(7)水洗之后的电阻器放入中和液中中和处理;

(9)水洗:将中和处理之后的电阻器水洗180秒;

(10)烘干:将步骤(9)水洗之后的电阻器在温度90℃下,烘干16min。

2.如权利要求1所述的降低军用厚膜、薄膜片式电阻器可焊性不良率的方法,其特征在于,所述前处理液的质量浓度为30%,处理时间为180秒。

3.如权利要求1所述的降低军用厚膜、薄膜片式电阻器可焊性不良率的方法,其特征在于,所述步骤(2)中水洗时间为180秒。

4.如权利要求1所述的降低军用厚膜、薄膜片式电阻器可焊性不良率的方法,其特征在于,所述步骤(3)中镀镍时间180分钟。

5.如权利要求1所述的降低军用厚膜、薄膜片式电阻器可焊性不良率的方法,其特征在于,所述步骤(5)中酸活化液的质量浓度为30~35%,酸活化时间为120~180秒。

6.如权利要求5所述的降低军用厚膜、薄膜片式电阻器可焊性不良率的方法,其特征在于,所述步骤(5)中酸活化液的质量浓度为35%,酸活化时间为180秒。

7.如权利要求1所述的降低军用厚膜、薄膜片式电阻器可焊性不良率的方法,其特征在于,所述步骤(8)中中和液的质量浓度为30%,中和时间为180秒。

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