[发明专利]一种MEMS器件及制备方法、电子装置在审
| 申请号： | 201711022092.3 | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109704271A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 王强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 振动膜 声孔 背板 阻挡结构 阻挡件 电子装置 空腔 制备 间隔设置 光罩 基部 良率 穿透 环绕 延伸 | ||
1.一种MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件包括：
振动膜；
背板，位于所述振动膜的上方；
空腔，位于所述振动膜和所述背板之间；
声孔，若干所述声孔相互间隔设置并且穿透所述背板，所述声孔露出所述振动膜；
阻挡结构，位于所述背板面向所述空腔的表面上，所述声孔环绕所述阻挡结构；
其中，所述阻挡结构包括基部和阻挡件，所述阻挡件朝向所述振动膜延伸，所述阻挡件顶部与所述声孔之间最小的两点的距离大于或等于2um。
2.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述基部水平面上的投影至少部分覆盖所述声孔。
3.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述基部水平面上的投影的半径为所述阻挡件水平面上的投影的半径的2-4倍。
4.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述基部在水平面上的投影为圆形、方形和多边形中的一种。
5.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述基部在水平面上的投影为圆形，所述圆形的半径为3μm-4μm。
6.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述声孔为正六边形，其中任意平行且相对的两边之间的距离为6.5μm-7.5μm。
7.一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
形成振动膜；
在所述振动膜上形成牺牲层；
在所述牺牲层上形成具有阻挡件的背板，其中，所述阻挡件嵌于所述牺牲层中并朝向所述振动膜延伸；
在所述背板上形成图案化的掩膜层，所述图案化的掩膜层形成有基部图案和环绕所述基部图案的声孔开口；
以所述图案化的掩膜层为掩膜蚀刻所述背板，以形成穿透所述背板的声孔，所述阻挡件顶部与所述声孔之间最小的两点的距离大于或等于2um；
去除所述牺牲层，以在所述振动膜和所述背板之间形成空腔。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述图案化的掩膜层的步骤包括：
在所述牺牲层上形成光刻胶层；
提供光罩，在所述光罩上形成有与所述基部图案和所述声孔开口对应的图案；
使用所述光罩对所述光刻胶层进行曝光、显影，以得到所述图案化的掩膜层。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述基部图案水平面上的投影至少部分覆盖所述声孔。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述基部图案水平面上的投影的半径为所述阻挡件水平面上的投影的半径的2-4倍。
11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述基部图案在水平面上的投影为圆形、方形和多边形中的一种。
12.据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述基部图案在水平面上的投影为圆形，所述圆形的半径为3μm-4μm。
13.据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述声孔为正六边形，其中任意平行且相对的两边之间的距离为6.5μm-7.5μm。
14.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求1至6之一所述的MEMS器件。
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