[发明专利]用于功能放大器的远程开关

说明书

技术领域

本发明涉及过温保护装置，具体涉及用于功能放大器的远程开关。

背景技术

自1974年，美国的Plessey公司用GaAs FET作为有源器件，GaAs半绝缘衬底作为载体，研制成功世界上第一块MMIC放大器以来，在军事应用(包括智能武器、雷达、通信和电子战等方面)的推动下，MMIC的发展十分迅速。80年代，随着分子束外延、金属有机物化学汽相淀积技术(MOCVD)和深亚微米加工技术的发展和进步，MMIC发展迅速。1980年由Thomson-CSF和Fujitsu两公司实验室研制出高电子迁移率晶体管(HEMT)，在材料结构上得到了不断的突破和创新。1985年Maselink用性能更好的InGaAs沟道制成的赝配HEMT(PHEMT)，使HEMT向更调频率更低噪声方向发展。继HEMT之后，1984年用GaAlAs/GaAs异质结取代硅双极晶体管中的P-N结，研制成功了频率特性和速度特性更优异的异质结双极晶体管(HBT)和HBT MMIC。由于InP材料具有高饱和电子迁移率、高击穿电场、良好的热导率、InP基的晶格匹配HEMT，其性能比GaAs基更为优越，近年来随着InP单晶的制备取得进展，InP基的HEMT、PHEMT、MMIC性能也得到很大的提高。

利用三极管的电流控制作用或场效应管的电压控制作用将电源的功率转换为按照输入信号变化的电流。因为声音是不同振幅和不同频率的波，即交流信号电流，三极管的集电极电流永远是基极电流的β倍，β是三极管的交流放大倍数，应用这一点，若将小信号注入基极，则集电极流过的电流会等于基极电流的β倍，然后将这个信号用隔直电容隔离出来，就得到了电流(或电压)是原先的β倍的大信号，这现象成为三极管的放大作用。经过不断的电流放大，就完成了功率放大。

功放的控制方法很多，自动控制是目前的主要发展方向，由数据中心收发数据并对功率放大器做出控制调整。

发明内容

本发明所要解决现有技术中不能远程控制开关的问题，提供用于功能放大器的远程开关，增加了射频电路用于无线通信。

本发明通过下述技术方案实现：

用于功能放大器的远程开关，包括功率放大器、控制器、AD转换器、射频电路、天线、存储器；所述控制器和存储器均设置在功率放大器的内部，且该控制器与存储器电连接；所述AD转换器分别与控制器和射频电路电连接，该射频电路与天线电连接。上述射频电路可以通过天线与数据中心实现通信，以此来完成远程开关机等通讯工作。

进一步，上述的用于功能放大器的远程开关，还包括至少10片散热片、温度传感器；所述散热片整齐排列在功率放大器的一侧，且该散热片之间设置有一个空槽，该空槽内设置有风扇；所述温度传感器、AD转换器均设置在功率放大器的另一侧，该温度传感器与AD转换器电连接，且该AD转换器与所述控制器电连接，该控制器与风扇电连接。通过上述各个部件的配合，组成一个散热系统，首先温度传感器监测功率放大器的温度，当温度过高时会通过AD转换器发送一个告警信号给控制器，以便控制器打开风扇进行散热；通常情况下散热片可以起到基本的散热作用，从而减少一部分电力损耗，安全可靠。

进一步，所述风扇设置有插件，所述插件位于风扇的外壁，该插件至少有2个。

进一步，所述空槽的内壁上设置有插孔，所述插孔与所述插件匹配，并且该插件安装在所述插孔中。

进一步，还包括主板柜，所述主板柜的形状是上端开口的盒体，所述散热片安装在该主板柜的侧面，所述功率放大器、温度传感器、AD转换器、射频电路均设置在该主板柜的内部；所述天线贴在主板柜的内壁表面。

进一步，还包括电源，所述电源分别为风扇和控制器供电。

进一步，还包括开关，所述开关一端电连接电源，另一端分别电连接风扇和控制器。

本发明与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：

1、本发明用于功能放大器的远程开关结构简单，安装简便；

2、本发明用于功能放大器的远程开关可以有效的降温散热；

3、本发明用于功能放大器的远程开关采用风冷和散热片降温两种方式散热，绿色节能；

4、本发明用于功能放大器的远程开关可以有效地远程控制。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本发明实施例的限定。在附图中：

图1为本发明结构示意图；

图2为风扇的结构示意图；

图3为射频模块原理示意图。