[发明专利]一种翘曲共烧陶瓷基板上薄膜电路制作方法

权利要求书

1.一种翘曲共烧陶瓷基板上薄膜电路制作方法，包括以下步骤：

1)在翘曲共烧陶瓷基板上喷涂BCB胶液，然后按BCB固化温度曲线在氮气气氛炉中固化；

2)在固化后的BCB介质层上喷涂正性光刻胶，前烘后用激光束曝光正对通孔柱处的正性光刻胶，显影去除曝光后的正对通孔柱处的光刻胶，对光刻胶进行后烘；

3)用氧/四氟化碳等离子体刻蚀BCB介质以露出通孔柱，然后用氧等离子体或去胶液去掉残留的光刻胶掩膜；

4)基于喷涂正性光刻胶和激光束光刻制作底层薄膜电路：用氧/四氟化碳等离子体清洗BCB表面，然后溅射Ti/Cu种子层金属，喷涂正性光刻胶并前烘，用激光束曝光薄膜电路图形，显影去除曝光后的光刻胶，电镀Cu/Au；然后去除剩余光刻胶，湿法腐蚀掉种子层Ti/Cu，制成基板上第一层薄膜电路；

5)基于喷涂正性光刻胶和激光束光刻制作后续各层薄膜电路：单层薄膜电路制作流程为，首先电镀铜通孔柱，再喷涂一层非光敏有机介质材料并固化，激光烧蚀露出通孔柱，然后溅射Ti/Cu种子层金属，喷涂正性光刻胶并前烘，用激光束曝光薄膜电路图形，显影去除曝光后的光刻胶并后烘，电镀Cu/Au；然后去除剩余光刻胶，湿法腐蚀掉种子层Ti/Cu，制成薄膜电路。

2.根据权利要求1所述的翘曲共烧陶瓷基板上薄膜电路制作方法，其特征在于：所述的共烧陶瓷基板可以是低温共烧陶瓷基板或高温共烧陶瓷基板。

3.根据权利要求1所述的翘曲共烧陶瓷基板上薄膜电路制作方法，其特征在于：所述的BCB为非光敏的BCB胶液。

4.根据权利要求1所述的翘曲共烧陶瓷基板上薄膜电路制作方法，其特征在于：在喷涂BCB胶液前，在基板上先喷涂分子层厚度的BCB粘接增强剂AP3000。

5.根据权利要求1所述的翘曲共烧陶瓷基板上薄膜电路制作方法，其特征在于：BCB胶液固化后的厚度为2～7倍共烧陶瓷表面粗糙度。

6.根据权利要求1所述的翘曲共烧陶瓷基板上薄膜电路制作方法，其特征在于：所述激光波长与正性光刻胶曝光波长匹配。

7.根据权利要求5所述的翘曲共烧陶瓷基板上薄膜电路制作方法，其特征在于：光刻胶厚度与下层的BCB胶液厚度相等。

8.根据权利要求1所述的翘曲共烧陶瓷基板上薄膜电路制作方法，其特征在于：所述有机介质材料为聚酰亚胺。