[发明专利]一种像素单元及显示基板在审
申请号: | 201711012017.9 | 申请日: | 2017-10-26 |
公开(公告)号: | CN107643634A | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 甘启明;王勐 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 单元 显示 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示器领域,特别涉及一种像素单元及显示基板。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)是目前市场上应用最为广泛的显示产品,其生产工艺技术十分成熟,产品良率高,生产成本相对较低,市场接受度高。
液晶显示面板通常由彩色滤光片基板、薄膜晶体管阵列基板以及配置于两基板间的液晶层所构成,并分别在两基板的相对内侧设置像素电极、公共电极,通过施加电压控制液晶分子改变方向,将背光模组的光线折射出来产生画面。液晶显示器包括扭曲向列(TN)模式、电子控制双折射(ECB)模式、垂直配向(VA)等多种显示模式,其中,VA模式是一种具有高对比度、宽视角、无须摩擦配向等优势的常见显示模式。但由于VA模式采用垂直转动的液晶,液晶分子双折射率的差异比较大,导致大视角下的色偏(color shift)问题比较严重。
随着液晶显示技术的发展,显示屏幕的尺寸越来越大,传统采用4domain(4畴)的PSVA(聚合物稳定垂直配向)像素会凸显视角色偏的不良表现。为了提升面板视角表现,3T_8domain(8畴3晶体管)的PSVA像素逐渐应用于大尺寸电视面板的设计,使同一个子像素(sub pixel)内主(main)区的4个畴与次(sub)区的4个畴的液晶分子的转动角度不一样,从而改善色偏。
如图1所示,其为现有的3T像素单元的电路示意图。液晶显示面板内多个子像素呈阵列式排布,每个子像素可分为主(main)区和次(sub)区,包括主区薄膜晶体管TFT_m,主区液晶电容Clc_m,主区存储电容Cst_m,次区薄膜晶体管TFT_s,次区液晶电容Clc_s,次区存储电容Cst_s,以及共享薄膜晶体管TFT_share,对应每一行子像素分别设置一条扫描线Gate,对应每一列子像素分别设置一条数据线Data;主区薄膜晶体管TFT_m的栅极连接扫描线Gate,其源极/漏极连接数据线Data,在其漏极/源极与公共电极A_com(或C_com)之间并联连接主区液晶电容Clc_m和主区存储电容Cst_m;次区薄膜晶体管TFT_s的栅极连接扫描线Gate,其源极/漏极连接数据线Data,在其漏极/源极与公共电极A_com(或C_com)之间并联连接次区液晶电容Clc_s和次区存储电容Cst_s;共享薄膜晶体管TFT_share的栅极连接扫描线Gate,其源极和漏极分别连接该次区薄膜晶体管TFT_s的漏极/源极和公共电极A_com。本领域技术人员可以理解,虽然公共电极A_com和C_com名称不同,但是在实际液晶面板中两者通常电位相同,可以仅以公共电极A_com来表示;对于薄膜晶体管,由于其源极和漏极的特性一样,因此在电路中不对其源极和漏极进行特别限定;在液晶显示面板的立体结构中,液晶电容和存储电容的两极通常分别对应像素电极(或与像素电极电位相同的存储电极)和公共电极。
3T像素的核心思想就是通过第三个TFT将次区像素接入到A_com,来对次区进行放电,主区与次区形成电位差来达到使主区和次区的液晶倒向不一致,从而达到补偿视角的作用。但是,A_com电位的稳定性对液晶像素的现实至关重要,而3T是直接连入至A_com上,3T的放电过程可能会产生一些影响A_com稳定性的因素存在,进而影响液晶显示的稳定性。
发明内容
本发明提供了一种像素单元及显示基板,以解决现有的3T像素单元因放电而产生一些影响公共电极稳定性的因素,进而影响液晶显示稳定的技术问题。
为解决上述方案,本发明提供的技术方案如下:
本发明提供一种像素单元,其中,所述像素单元包括至少两个子像素,至少两个所述子像素在液晶显示面板内沿第一方向或第二方向排列;
每一所述子像素包括第一区域、第二区域以及第三区域,其中,所述第一区域包括第一区域薄膜晶体管、第一区域液晶电容以及第一区域存储电容,所述第二区域包括第二区域薄膜晶体管、第二区域液晶电容以及第二区域存储电容,所述第三区域包括第三区域薄膜晶体管;
所述第一区域存储电容由第一区域存储电极和第一区域公共电极构成,所述第二区域存储电容由第二区域存储电极和第二区域公共电极构成,所述第一区域公共电极和所述第二区域公共电极与第一输入端连接;
所述第三区域薄膜晶体管的栅极与所述子像素对应的扫描线电性连接,所述第三区域薄膜晶体管的源漏极与所述第二区域薄膜晶体管的源漏极相连接,所述第三区域薄膜晶体管的源漏极还与第三区域公共电极相连接,
其中,所述第三公共电极与第二输入端连接。
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