[发明专利]一种低功耗LDO系统

说明书

技术领域

本发明涉及LDO电路领域，尤其涉及一种低功耗LDO系统。

背景技术

在物联网和大多数无线通讯的应用中，相关接收电路或者发射电路等都是需要低功耗的，因此低功耗的LDO（low dropout regulator，低压差线性稳压电路）电路对整个应用来讲是非常关键和非常必要的。LDO电路作为模拟电路的重要部分，一般需要在一个较宽的电压范围内正常工作，因此不仅要求功耗低，还需要性能稳定，有较好的温度特性。传统方式的电路，其功耗都是微瓦级别的，不属于低功耗设计范畴。

发明内容

为克服上述现有技术存在的问题，本发明的主要目的在于提供一种低功耗LDO系统，整个系统工作在纳安级别电流下，功耗非常小，稳定性高。

为达上述及其它目的，本发明提供一种低功耗LDO系统，其至少包括：

一微电流产生电路，其核心是MOS管工作在亚阈值区，产生低至纳安级的参考电流，这也是给整个电路提供nA电流的来源；一基准产生电路，采用共源共栅串联结构，为所述系统提供参考电压，主要特点是基准电路结构简单，性能更加的稳定，避免产用带隙基准这么复杂功耗又大的电路；一稳压电路，使用串联稳压结构，将MOS管串联在电源环路中，通过控制MOS管的栅极电压来控制稳定电源电压，其中运放的工作电流为150nA，属于亚阈值区的工作范畴，目的也是降低功耗。

本发明提出了一种低功耗LDO系统，包括：

所述微电流产生电路由第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第一PNP三极管Q1、第八NMOS管NM8和第九NMOS管NM9构成，PM1管的源极与PM2管的源极相连接并连接至LVDD；PM2管的栅极与PM1管的栅极、PM3管的栅极、PM3管的漏极、PM4管的栅极、NM8管的漏极相连接，其节点标注为VP；PM2管的漏极与PM4管的源极相连接；PM1管的漏极PM3管的源极相连接；PM4管的漏极与Q1管的发射极、NM8管的栅极相连接；NM8管的源极与NM9管的栅极、NM9管的漏极相连接；Q1管的基极、Q1管的集电极、NM9管的源极接地。

所述基准产生电路由第五PMOS管PM5、第六PMOS管PM6、第七PMOS管PM7、第八PMOS管PM8、第九PMOS管PM9、第十PMOS管PM10、第十一PMOS管PM11、第十二PMOS管PM12、第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4、第五NMOS管NM5、第六NMOS管NM6、第七NMOS管NM7、第一电阻R1构成；PM5管的源极与PM6管的源极、PM7管的源极、PM8管的源极和PM1管的源极相连接并连接至LVDD；PM5管的栅极、PM6管的栅极、PM7管的栅极、PM8的栅极、PM9管的栅极、PM10管的栅极、PM11管的栅极、PM12管的栅极与PM2管的栅极连接在一起；PM8管的漏极与PM12管的源极相连接；PM12管的漏级与NM6管的漏级、NM6管的栅极、NM7管的栅极相连接；NM6管的源极与NM7管的漏级、NM5管的源极相连接；NM7管的源极接地；PM7管的漏极与PM11管的源极相连接；PM11管的漏级与NM4管的漏级、NM4管的栅极、NM5管的栅极相连接；NM4管的源极与NM5管的漏级、NM3管的源极相连接；PM6管的漏极与PM10管的源极相连接；PM10管的漏级与NM2管的栅极、NM2管的漏级、NM3管的栅极相连接；NM2管的源极与NM3管的漏级、NM1管的源极相连接；PM5管的漏极与PM9管的源极相连接；PM9管的漏级与电阻R1的一端相连接，其节点标注为VREF；电阻R1的另一端与NM1管的栅极、NM1管的漏级相连接。