[发明专利]OLED像素驱动电路及其驱动方法在审
申请号: | 201711004261.0 | 申请日: | 2017-10-24 |
公开(公告)号: | CN107516489A | 公开(公告)日: | 2017-12-26 |
发明(设计)人: | 王珊;温亦谦 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/3208 | 分类号: | G09G3/3208 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人: | 林才桂,刘巍 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 像素 驱动 电路 及其 方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED像素驱动电路及其驱动方法。
背景技术
作为新一代显示技术,有机发光二极管(OLED)显示面板具有低功耗、高色域、高亮度、高分辨率、宽视角、高响应速度等优点,因此备受市场的青睐。
OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive MatrixOLED,PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED,AMOLED)两大类。其中,AMOLED具有呈阵列式排布的像素,属于主动显示类型,发光效能高,通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
参见图1,其为现有OLED的2T1C像素驱动电路示意图,现有的驱动方法及像素结构,通过对OLED施加不同的直流驱动电压,使得OLED在不同的灰阶值下显示所需要的色彩和亮度。2T1C指电路主要包括两个薄膜晶体管和一个电容,其中一个薄膜晶体管T2为开关TFT,由扫描信号Gate控制,用于控制数据信号Data的进入,是控制电容Cst的充电开关,另一个薄膜晶体管T1为驱动TFT,用于驱动OLED,控制通过OLED的电流,电容Cst主要是用来存储Data信号进而控制T1对OLED的驱动电流。在图1所示电路中,作为举例,T1和T2均采用了P型TFT。扫描信号Gate可以来自于栅极驱动器,对应于某一行扫描线,数据信号Data可以来自于源极驱动器,对应于某一列数据线。OVDD为电源高电位,OVSS为电源低电位。
扫描信号Gate打开后,数据信号Data的电压Vdata接入到驱动TFTT1,存储在电容Cst上,使得T1一直处于导通状态,OLED长时间处于直流偏置状态,内部的离子极性化形成内建电场,导致OLED的阈值电压不断增大,OLED的发光亮度不断降低。长时间发光缩短了OLED的寿命。每个子像素OLED的衰老程度不同,使得屏幕显示画面不均,影响显示效果。
如图2a所示,其为现有OLED的6T1C像素驱动电路示意图,图2b为图2a所示电路的时序图。电路主要包括T1~T6共6个薄膜晶体管和1个电容C1,其中T6为N型TFT。按照时序图示意,OLED的驱动过程由信号S1~S3控制,划分为t1~t3共三个阶段。但是以上现有6T1C像素驱动电路驱动方法存在以下不足:像素结构既有N型TFT又有P型TFT,结构工艺较为复杂;6T1C结构,有效发光面积较小。
总之,现有OLED像素驱动电路各自均存在缺陷,亟需改进。如图1所示,现有OLED的2T1C像素驱动电路中,Gate打开后,Vdata电位存储在电容Cst中,驱动TFT保持导通,使得OLED一直处于直流偏置状态,此驱动方法容易引起OLED的衰老。如图2a和图2b所示,现有OLED的6T1C像素驱动电路TFT数量较多且类型不同,工艺复杂。
发明内容
因此,本发明的目的在于提供一种OLED像素驱动电路,消除因驱动晶体管的工艺造成的阈值电压的不同导致发光不均匀的现象。
本发明的另一目的在于提供一种OLED像素驱动电路的驱动方法,消除因驱动晶体管的工艺造成的阈值电压的不同导致发光不均匀的现象。
为实现上述目的,本发明提供了一种OLED像素驱动电路,包括:
第一薄膜晶体管,其栅极连接第二节点,源极和漏极分别连接第三节点和第四节点;
第二薄膜晶体管,其栅极连接第一信号,源极和漏极分别连接第二节点和第四节点;
第三薄膜晶体管,其栅极连接第二信号,源极和漏极分别连接第一节点和第二节点;
第四薄膜晶体管,其栅极连接第三信号,源极和漏极分别连接第四节点和OLED的阳极;
OLED的阴极连接电源低电位;
电容,其两端分别连接第一节点和第二节点;
第三节点连接电源高电位;
第一节点连接电压输入端以输入数据电压或参考电压;
所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管及第四薄膜晶体管为P型晶体管。
其中,所述第一信号、第二信号以及第三信号的时序配置为包括数据电压存储阶段,阈值电压补偿阶段,以及发光阶段。
其中,在所述数据电压存储阶段和阈值电压补偿阶段,电压输入端输入数据电压。
其中,在所述发光阶段,电压输入端输入参考电压。
其中,在所述数据电压存储阶段,第一信号为高电平,第二信号为低电平,第三信号为高电平。
其中,在所述阈值电压补偿阶段,第一信号为低电平,第二信号为高电平,第三信号为高电平。
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