[发明专利]含有可编程计算单元的可编程门阵列封装在审
申请号: | 201710996864.7 | 申请日: | 2017-10-19 |
公开(公告)号: | CN109684653A | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
发明(设计)人: | 张国飙 | 申请(专利权)人: | 成都海存艾匹科技有限公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610041 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可编程 计算单元 计算芯片 可编程逻辑芯片 可编程门阵列 存储阵列 可写 封装 垂直堆叠 基本函数 查找表 电耦合 存储 芯片 | ||
1.一种可编程门阵列封装(400),其特征在于含有:
一含有多个可编程计算单元(100AA-100AD)的可编程计算芯片(100W),该可编程计算单元(100AA-100AD)含有至少一可写存储阵列(110),该可写存储阵列(110)存储一基本函数的至少部分查找表(LUT);
一含有多个可编程逻辑单元(200AA-200AD)的可编程逻辑芯片(200W),该可编程逻辑单元(200AA-200AD)含有至少一可编程逻辑单元(200),该可编程逻辑单元(200)从一逻辑运算库中选择性地实现一种逻辑运算;
多个将该可编程计算单元(100AA-100AD)和该可编程逻辑单元(200AA-200AD)选择性耦合的可编程连接(300);
通过对该可编程计算单元(100AA-100AD)、该可编程逻辑单元(200AA-200AD)和该可编程连接(300)进行编程以实现一复杂函数,该复杂函数是所述基本函数的一种组合;
所述可编程计算芯片(100W)和所述可编程逻辑芯片(200W)通过芯片间连接(160)电耦合。
2.根据权利要求1所述的可编程门阵列封装(400),其特征还在于:至少部分所述可编程连接(300)位于所述可编程计算芯片(100W)中。
3.根据权利要求1所述的可编程门阵列封装(400),其特征还在于:至少部分所述可编程连接(300)位于所述可编程逻辑芯片(200W)中。
4.根据权利要求1所述的可编程门阵列封装(400),其特征还在于:该可编程计算芯片(100W)和该可编程逻辑芯片(200W)垂直堆叠。
5.根据权利要求1所述的可编程门阵列封装(400),其特征还在于:该可写存储阵列(110)为RAM或ROM。
6.根据权利要求5所述的可编程门阵列封装(400),其特征还在于:所述ROM为一次编程存储器(OTP)或多次编程存储器(MTP)。
7.根据权利要求1所述的可编程门阵列封装(400),其特征还在于:该可编程连接(300)为微焊点(micro-bump)或穿透硅片通道(TSV)。
8.根据权利要求1所述的可编程门阵列封装(400),其特征还在于:其使用过程包括一设置阶段(610),在该设置阶段(610)中根据用户需要将一函数的LUT加载到可写存储阵列(110)中。
9.根据权利要求1所述的可编程门阵列封装(400),其特征还在于:其使用过程包括一使用阶段(630),在该使用阶段(630)中在可写存储阵列(110)中查找相应的LUT来获得该函数的值。
10.根据权利要求1所述的可编程门阵列封装(400),其特征还在于含有:至少两个可编程计算芯片(100W、100W`),所述可编程计算芯片(100W、100W`)和所述可编程逻辑芯片(200W)通过芯片间连接(160)电耦合。
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