[发明专利]基于高压缓冲电路的除臭净化器用高稳态集成控制系统

权利要求书

1.基于高压缓冲电路的除臭净化器用高稳态集成控制系统，其特征在于，主要由控制芯片U，单向晶闸管VS，开关S1，开关S2，三极管VT2，三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，与三极管VT3的集电极相连接的高压缓冲电路，P极与三极管VT1的发射极相连接、N极经电阻R5后与控制芯片U的VSS管脚相连接的稳压二极管D2，一端与三极管VT1的基极相连接、另一端与控制芯片U的VDD管脚相连接的可调电阻R4，正极与控制芯片U的VDD管脚相连接、负极与控制芯片U的VSS管脚相连接后接地的电容C2，一端与单向晶闸管VS的阴极相连接、另一端与电容C2的正极相连接的电阻R3，负极与单向晶闸管VS的调节端相连接、正极电阻R2化痰三极管VT1的集电极相连接的电容C1，P极与电容C1的正极相连接、N极与单向晶闸管VS的阳极相连接的二极管D1，一端与二极管D1的P极相连接、另一端与稳压二极管D2的N极共同形成输入端的电阻R1，正极与电容C2的正极相连接、负极与控制芯片U的ADJ管脚相连接的电容C3，负极与三极管VT2的基极相连接、正极经电阻R6后与电容C3的正极相连接的电容C4，N极与电容C4的正极相连接、P极经电阻R7后与三极管VT2的发射极相连接的二极管D3，正极与三极管VT2的发射极相连接、负极经电阻R8后与三极管VT2的集电极相连接后接地的电容C5，一端与三极管VT2的发射极相连接、另一端与三极管VT3的发射极相连接的电感L，正极与三极管VT4的集电极相连接、负极与三极管VT3的发射极共同形成第一输出端的电容C6，P极与电容C6的正极相连接、N极与三极管VT3的发射极相连接的二极管D4，正极与控制芯片U的OUTPUT管脚相连接、负极经电阻R10后与三极管VT4的基极相连接的电容C8，正极与三极管VT4的发射极相连接、负极接地与三极管VT5的集电极相连接的电容C9，P极经电阻R11后与控制芯片U的LAMP管脚相连接、N极与三极管VT5的基极相连接的二极管D5，一端与三极管VT5的发射极相连接、另一端与光电耦合器IC第一输入端相连接的电阻R13，正极与光电耦合器IC的第二输出端相连接、负极与双向晶闸管V的控制端相连接的电容C11，一端与电容C11的正极相连接、另一端与双向晶闸管V的第一阳极相连接的电阻R15，正极经电阻R9后与三极管VT3的基极相连接、负极经电阻R12后与光电耦合器IC的第二输入端相连接的电容C7，以及负极经电阻R14后与双向晶闸管V的第一阳极相连接、正极作为第三输出端的电容C10组成；

所述光电耦合器IC的第一输出端接地；所述双向晶闸管V的第二阳极与电容C7的正极相连接、其第一阳极还接地；所述控制芯片U的VDD管脚与电容C3的正极相连接；所述开关S1的一端接地、另一端与控制芯片U的PWR管脚相连接；所述开关S2的一端与控制芯片U的ADJ管脚相连接、另一端接地；所述三极管VT2的集电极接地；所述三极管VT3的集电极与高压缓冲电路相连接。

2.根据权利要求1所述的基于高压缓冲电路的除臭净化器用高稳态集成控制系统，其特征在于，所述高压缓冲电路由场效应管MOS101，场效应管MOS102，三极管VT101，极性电容C101，极性电容C103，P极与三极管VT3的集电极相连接、N极与场效应管MOS101的栅极相连接的二极管D101，一端与二极管D101的P极相连接、另一端与场效应管MOS101的源极连接后接地的电阻R102，一端与极性电容C101的正极相连接、另一端与场效应管MOS102的源极相连接的可调电阻R101，正极与场效应管MOS102的漏极相连接、负极与三极管VT101的基极相连接的极性电容C102，一端与三极管VT101的基极相连接、另一端与三极管VT101的集电极相连接的电阻R103，以及一端与极性电容C103的负极相连接、另一端与三极管VT101的集电极相连接后接地的电阻R104组成；所述场效应管MOS101的栅极与场效应管MOS102的栅极相连接；所述三极管VT101的发射极作为高压缓冲电路的输出端。

3.根据权利要求2所述的基于高压缓冲电路的除臭净化器用高稳态集成控制系统，其特征在于，所述单向晶闸管VS为KP1A单向晶闸管。

4.根据权利要求3所述的基于高压缓冲电路的除臭净化器用高稳态集成控制系统，其特征在于，所述控制芯片U为JX2998控制芯片。

5.根据权利要求4所述的基于高压缓冲电路的除臭净化器用高稳态集成控制系统，其特征在于，所述变压器T为10KVS9系列变压器。

6.根据权利要求5所述的基于高压缓冲电路的除臭净化器用高稳态集成控制系统，其特征在于，所述开关S1和开关S2均为接触电阻≤0.03Ω的PB-11D14按键开关。