[发明专利]一种薄膜电池电极的制备方法在审
申请号: | 201710986636.1 | 申请日: | 2017-10-20 |
公开(公告)号: | CN107731539A | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 程桂平 | 申请(专利权)人: | 程桂平 |
主分类号: | H01G9/20 | 分类号: | H01G9/20;C08G61/12 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100301 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 电池 电极 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种薄膜电池电极的制备方法。
背景技术
薄膜电极是染料敏化太阳电池(DSC)的重要组成部分之一,对其进行结构优化可以减少电池内部的能量损失,相关研究已经受到人们的广泛关注。表面包覆是颗粒改性的一项重要技术,在DSC中引入包覆层可以抑制电子复合、改善电池性能。但是,采用绝缘体表面包覆纳米TiO2多孔薄膜的作用效果和机制有待深入研究。有关包覆层的分子结构对DSC光电转换性能影响的研究也没有详尽的报道。
现有技术中修饰材料的成本高,工艺复杂,对光电的转换效率低,很难大规模使用。
发明内容
本发明提供一种薄膜电池电极的制备方法,包括:步骤1:将3mg甲基三辛基氯化铵、10ml(浓度为2 mol/L)碳酸钠水溶液、6 ml的甲苯配置为第一混合溶液;步骤2:将5mg第一单体加入步骤1制得的第一混合溶液中,第一单体的结构式:;步骤3:将5 mg的四(三苯基膦)钯、10ml(浓度为2 mol/L)的碳酸钠水溶液、6 ml的甲苯配置为第二混合溶液;步骤4:将8mg第二单体加入步骤3制得的第二混合溶液中,第二单体的结构式:;步骤5:将步骤2和步骤4获得的溶液混合均匀,并沉淀10小时;步骤6:反复抽真空、通氮气三次,以89ºC油浴加热70小时;步骤7:再将12比1的甲醇与水的混合物加入冷却的反应物中,冷冻48小时;步骤8:对反应物减压吸滤,将滤出的固体转移到索氏提取器中;步骤9:用甲醇提取12小时,再用正己烷提取12小时,最后用氯仿析出产物,浓缩烘干后得到中性聚合物,中性聚合物的结构式:;步骤10:取步骤9制得的中性聚合物10 mg, 溴乙烷2 mL,四氢呋喃40 mL混合;步骤11:反复抽真空、通氮气三次,再在50ºC下搅拌120小时;步骤12:用氯仿与四氢呋喃洗涤后于80ºC真空烘干,得到修饰材料:;步骤13:将7mg的P3HT(聚-3己基噻吩)与7mg的PC61BM溶解于1mL的二氯苯中,并搅拌获得共混溶液;步骤14:将步骤12制得的修饰材料溶解于甲醇中;步骤15:将ITO玻璃超声清洗,并烘干;步骤16:将PEDOT:PSS(聚3,4-乙烯二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐)旋涂在ITO玻璃上得到30nm的薄膜;步骤17:在步骤16制得的薄膜上旋涂步骤13制得的共混溶液,退火1小时,再在氮气环境下以150ºC退火10分钟,得到180nm的活性层;步骤18:将步骤14制得的溶液旋涂步骤17制得的活性层上;步骤19:利用真空蒸镀机在步骤18制得的活性层上蒸镀电极。
本电极用于大规模光伏电站的薄膜电池上。
具体实施方式
实施例1
一种薄膜电池电极的制备方法,包括:
步骤1:将3mg甲基三辛基氯化铵、10ml(浓度为2 mol/L)碳酸钠水溶液、6 ml的甲苯配置为第一混合溶液;
步骤2:将5mg第一单体加入步骤1制得的第一混合溶液中,第一单体的结构式:;
步骤3:将5 mg的四(三苯基膦)钯、10ml(浓度为2 mol/L)的碳酸钠水溶液、6 ml的甲苯配置为第二混合溶液;
步骤4:将8mg第二单体加入步骤3制得的第二混合溶液中,第二单体的结构式:;
步骤5:将步骤2和步骤4获得的溶液混合均匀,并沉淀10小时;
步骤6:反复抽真空、通氮气三次,以89ºC油浴加热70小时;
步骤7:再将12比1的甲醇与水的混合物加入冷却的反应物中,冷冻48小时;
步骤8:对反应物减压吸滤,将滤出的固体转移到索氏提取器中;
步骤9:用甲醇提取12小时,再用正己烷提取12小时,最后用氯仿析出产物,浓缩烘干后得到中性聚合物,中性聚合物的结构式:
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步骤10:取步骤9制得的中性聚合物10 mg, 溴乙烷2 mL,四氢呋喃40 mL混合;
步骤11:反复抽真空、通氮气三次,再在50ºC下搅拌120小时;
步骤12:用氯仿与四氢呋喃洗涤后于80ºC真空烘干,得到修饰材料:
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步骤13:将7mg的P3HT(聚-3己基噻吩)与7mg的PC61BM溶解于1mL的二氯苯中,并搅拌获得共混溶液;
步骤14:将步骤12制得的修饰材料溶解于甲醇中;
步骤15:将ITO玻璃超声清洗,并烘干;
步骤16:将PEDOT:PSS(聚3,4-乙烯二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐)旋涂在ITO玻璃上得到30nm的薄膜;
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