[发明专利]一种凹凸棒石基全波段紫外屏蔽材料的制备方法

权利要求书

1.一种凹凸棒石基全波段紫外屏蔽材料的制备方法，其特征在于：所述的制备方法为，

(1)将阳离子表面活性剂溶液加入到凹凸棒石浆料中，充分混合并保温熟化后，加入偶联剂溶液，混合充分并保温熟化，抽滤、洗涤、烘干、粉碎，即制得有机表面改性的凹凸棒石(ATP)；

(2)将步骤(1)中制备的有机表面改性的凹凸棒石分散在乙酸乙酯中，再加入2,2'-亚甲基双–(6-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基-丁基))苯酚(MBBT)的乙酸乙酯溶液，充分混合并升温后，冷凝回收乙酸乙酯，直至除去所有乙酸乙酯后得到ATP@MBBT复合材料，即凹凸棒石基全波段紫外屏蔽材料。

2.如权利要求1所述的凹凸棒石基全波段紫外屏蔽材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述的阳离子表面活性剂为十二烷基二甲基苄基氯化铵、十六烷基三甲基氯化铵、十八烷基磷酸酯取代铵或十二烷基吡啶氯化铵。

3.如权利要求1所述的凹凸棒石基全波段紫外屏蔽材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，阳离子表面活性剂与凹凸棒石的质量之比为0.02～0.2:1。

4.如权利要求1所述的凹凸棒石基全波段紫外屏蔽材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述的偶联剂为3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷或γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷。

5.如权利要求1所述的凹凸棒石基全波段紫外屏蔽材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，偶联剂与凹凸棒石的质量之比为0.1～0.2:1。

6.如权利要求1所述的凹凸棒石基全波段紫外屏蔽材料的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，MBBT与有机表面改性的凹凸棒石质量之比为0.6～1:1。

7.如权利要求1所述的凹凸棒石基全波段紫外屏蔽材料的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，升温幅度为75～90℃。