[发明专利]一种宽介电常数聚四氟乙烯纳米陶瓷玻璃布覆铜箔板及其制备方法在审
申请号: | 201710971193.9 | 申请日: | 2017-10-18 |
公开(公告)号: | CN109677075A | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
发明(设计)人: | 朱德明;王刚;沈振春 | 申请(专利权)人: | 泰州市旺灵绝缘材料厂 |
主分类号: | B32B27/30 | 分类号: | B32B27/30;B32B15/20;B32B15/082;B32B27/04;B32B19/00;B32B27/18 |
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地址: | 225321 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚四氟乙烯 纳米陶瓷 玻璃布 聚四氟乙烯薄膜层 制备 宽介电常数 玻璃布覆 铜箔板 聚四氟乙烯分散乳液 表面绝缘电阻 表面预处理 半固化片 覆铜箔板 介电常数 介质损耗 上下两侧 体积电阻 一致性好 抗辐射 抗老化 耐高温 铜箔层 吸水率 热压 水冷 铜箔 调制 排版 | ||
本发明公开了一种宽介电常数聚四氟乙烯纳米陶瓷玻璃布覆铜箔板及其制备方法,所述覆铜箔板包括铜箔层、聚四氟乙烯薄膜层、聚四氟乙烯纳米陶瓷玻璃布,所述聚四氟乙烯薄膜层覆于聚四氟乙烯纳米陶瓷玻璃布上下两侧,所述铜箔覆于聚四氟乙烯薄膜层上;其制备方法包括以下步骤:1)玻璃布表面预处理;2)调制聚四氟乙烯分散乳液;3)制聚四氟乙烯纳米陶瓷玻璃布(半固化片);4)排版、热压、水冷。本发明制备的宽介电常数聚四氟乙烯纳米陶瓷玻璃布覆铜箔板介电常数稳定、精确且一致性好,具备介质损耗低、表面绝缘电阻和体积电阻值大等特性,具有耐高温,吸水率低,抗老化,抗辐射等优点。
技术领域
本发明涉及电子信息技术产品制备领域,尤其涉及一种宽介电常数聚四氟乙烯纳米陶瓷玻璃布覆铜箔板及其制备方法。
背景技术
随着电子通信产业的迅速发展,原军事用途的高频通信部份频段让给民用,在远距离通信、导航、医疗、运输、交通、仓储领域的广泛应用,使民用高频通信大大发展,卫星通信、微波通信、光纤通信、汽车定位以及超高频播放节目,都在向高频化方向发展,电子信息产品高频化、高速化,对印制板高频特性提出了更高的要求。
由于聚四氟乙烯具有优良的电气性能,耐化学腐蚀,耐热,使用温度范围广,吸水性低,高频率范围介电常数、介质损耗变化少,非常适用于作为高速数字化和高频的基板材料,尤其是地面微波视讯、卫星通信、移动手机、军工雷达、航天航空、导弹导航等领域的广泛需求应用。但由于聚氟乙烯树脂的热膨胀系数大,质地柔软,产品抗弯强度小,机械性能差,限制了其在印刷电路板行业的应用。同时,现有技术中,由于原材料生产过程中控制工艺不稳定,导致玻璃结构疏松、减弱,从而导致电导和介质损耗上升、弹性横量硬度、化学稳定性、热膨胀系数等一系列变化,耐用性下降。如何减少在电路板上的传输损耗和信号延迟,成为铜箔板中的主要研究问题。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中存在的问题,提供一种宽介电常数聚四氟乙烯纳米陶瓷玻璃布覆铜箔板及其制备方法。
本发明的技术方案是:
一种宽介电常数聚四氟乙烯纳米陶瓷玻璃布覆铜箔板,包括铜箔层、聚四氟乙烯薄膜层、聚四氟乙烯纳米陶瓷玻璃布,所述聚四氟乙烯薄膜层覆于聚四氟乙烯纳米陶瓷玻璃布上下两侧,所述铜箔覆于聚四氟乙烯薄膜层上;所述铜箔层、聚四氟乙烯薄膜层、聚四氟乙烯纳米陶瓷玻璃布的质量比为10%-25%:15%-40%:50%-75%;所述聚四氟乙烯薄膜层厚度为0.03mm-0.08mm,所述铜箔为1/2oz-3oz。
一种宽介电常数聚四氟乙烯纳米陶瓷玻璃布覆铜箔板的制备方法,包括以下步骤:
1)对云母玻璃布使用高温炉进行表面进行热处理;
热处理参数如下:
温度:190-260℃;预处理时间:18-35分钟;车速控制:0.5-0.7米/分钟;
2)调制聚四氟乙烯分散乳液;
聚四氟乙烯分散乳液组成成分按质量配比如下:聚四氟乙烯树脂:65-120份;间苯二胺:12-25份;沉降剂20-50份,润滑剂2-20份;
其中,润滑剂组成为甲基咪唑:1-3份;硅烷偶联剂:0.15-3份;三丙二醇单甲醚:6-19份;沉降剂组成为丙酮:15-30份;
聚四氟乙烯分散乳液调配:
A.按配比将润滑剂依次加入到反应釜中,开启搅拌器,温度40-75℃,转速1000-1800转/分钟,持续搅拌15分钟,升温至120-140℃,并继续搅拌反应25-40分钟,制得预聚体A组份;
B.在搅拌槽内按配方量依次加入聚四氟乙烯树脂、间苯二胺,添加完毕后,在130-150℃下预聚20-40分钟,倒出冷却制得B组份;
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