[发明专利]三轴磁传感器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710961421.4 申请日: 2017-10-16
公开(公告)号: CN108205119B 公开(公告)日: 2020-06-16
发明(设计)人: 太田尚城;高桥宏和;三浦聪 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 三轴磁 传感器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种三轴磁传感器,其特征在于,

具备:

基板,其具有第一面及与该第一面相对的第二面;和

磁传感器元件组,其设置于所述基板的所述第一面上,

所述磁传感器元件组包含用于检测第一轴方向的磁力的第一磁传感器元件、用于检测第二轴方向的磁力的第二磁传感器元件、和用于检测第三轴方向的磁力的第三磁传感器元件,

所述第一轴方向和所述第二轴方向是在包含所述第一轴方向和所述第二轴方向的平面上相互正交的方向,

所述第三轴方向是与包含所述第一轴方向和所述第二轴方向的所述平面正交的方向,

所述第一~第三磁传感器元件分别含有第一~第三磁阻效应元件,

所述第一~第三磁阻效应元件均是至少含有磁化固定层及自由层的层叠体,

所述第一~第三磁阻效应元件的各磁化固定层的磁化方向被固定在相对于所述基板的所述第一面以15~55°的角度倾斜的方向,

所述第一~第三磁阻效应元件的各磁化固定层的磁化方向相对于所述第一~第三磁阻效应元件的膜面倾斜。

2.一种三轴磁传感器,其特征在于,

具备:

基板,其具有第一面及与该第一面相对的第二面;和

磁传感器元件组,其设置于所述基板的所述第一面上,

所述磁传感器元件组包含用于检测第一轴方向的磁力的第一磁传感器元件、用于检测第二轴方向的磁力的第二磁传感器元件、和用于检测第三轴方向的磁力的第三磁传感器元件,

所述第一轴方向和所述第二轴方向是在包含所述第一轴方向和所述第二轴方向的平面上相互正交的方向,

所述第三轴方向是与包含所述第一轴方向和所述第二轴方向的所述平面正交的方向,

所述第一~第三磁传感器元件分别含有第一~第三磁阻效应元件,

所述第一~第三磁阻效应元件均是至少含有磁化固定层及自由层的层叠体,

所述第一~第三磁阻效应元件的各磁化固定层的磁化方向被固定在相对于所述基板的所述第一面以15~55°的角度倾斜的方向,

在从所述基板的所述第一面的上方俯视观察时,在将所述第一磁阻效应元件的所述磁化固定层的磁化方向、所述第二磁阻效应元件的所述磁化固定层的磁化方向和所述第三磁阻效应元件的所述磁化固定层的磁化方向分别投影于所述基板的所述第一面时,投影的所述磁化方向被固定为朝向相互错开110~130°的方向。

3.根据权利要求1或2所述的三轴磁传感器,其特征在于,

所述第一~第三磁阻效应元件均是沿着相对于所述基板的所述第一面正交的方向层叠所述磁化固定层及所述自由层而成的层叠体。

4.根据权利要求1所述的三轴磁传感器,其特征在于,

在从所述基板的所述第一面的上方俯视观察时,在将所述第一磁阻效应元件的所述磁化固定层的磁化方向、所述第二磁阻效应元件的所述磁化固定层的磁化方向和所述第三磁阻效应元件的所述磁化固定层的磁化方向分别投影于所述基板的所述第一面时,投影的所述磁化方向被固定为朝向相互错开110~130°的方向。

5.根据权利要求1或2所述的三轴磁传感器,其特征在于,

所述磁阻效应元件是GMR元件或TMR元件。

6.一种三轴磁传感器的制造方法,其特征在于,

是制造权利要求1所述的三轴磁传感器的方法,

包含:

在所述基板的所述第一面上形成至少含有构成所述磁化固定层的反铁磁性膜及构成所述自由层的磁性膜的层叠膜的工序;

通过对所述层叠膜进行研磨,形成第一~第三层叠结构体的工序;和

通过同时对所述第一~第三层叠结构体施加磁场,使所述磁化固定层的磁化方向相对于所述基板的所述第一面以15~55°的角度倾斜并固定,从而制作作为所述层叠体的所述第一~第三磁阻效应元件的工序。

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