[发明专利]一种氧化石墨烯包覆氮化硅复合粉体的制备方法在审

专利信息
申请号: 201710952983.2 申请日: 2017-10-13
公开(公告)号: CN107573089A 公开(公告)日: 2018-01-12
发明(设计)人: 许崇海;张文亮;陈照强;衣明东;肖光春 申请(专利权)人: 齐鲁工业大学
主分类号: C04B35/78 分类号: C04B35/78;C04B35/63
代理公司: 济南金迪知识产权代理有限公司37219 代理人: 陈桂玲
地址: 250353 *** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 氧化 石墨 烯包覆 氮化 复合 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种氧化石墨烯包覆氮化硅复合粉体的制备方法,包括步骤:

a.将Si3N4粉体加入到双氧水中,使充分分散,然后于温度60~100℃、磁力搅拌条件下氧化处理;制得表面氧化的Si3N4粉体;

b.取步骤a制得的表面氧化的Si3N4粉体分散到水醇混合溶液中,超声分散,之后添加偶联剂水解溶液,偶联剂用量为表面氧化的Si3N4粉体质量的2.5%~10%;继续超声搅拌使混合均匀;升温至60~90℃,调节pH值为8~10,在磁力搅拌下反应2-4小时;得到偶联剂表面改性的Si3N4悬浊液;然后调节所述Si3N4悬浊液pH值为3~5,将得到的酸性Si3N4悬浊液与pH值为8~10的氧化石墨烯水分散液混合,超声搅拌后静置,直至包覆粒子全部沉淀,分离、干燥,获得氧化石墨烯包覆氮化硅(Si3N4@GO)复合粉体。

2.根据权利要求1所述的氧化石墨烯包覆氮化硅复合粉体的制备方法,其特征在于步骤a中,所述Si3N4粉体平均粒径为100~200nm;优选的,按每升双氧水计,Si3N4粉体的加入量为10~20g/L。

3.根据权利要求1所述的氧化石墨烯包覆氮化硅复合粉体的制备方法,其特征在于步骤a中,对所述Si3N4粉体表面氧化处理的温度为70~90℃。

4.根据权利要求1所述的氧化石墨烯包覆氮化硅复合粉体的制备方法,其特征在于步骤a中还包括,在氧化处理结束后,冷却至室温,离心分离,清洗,干燥;优选的,Si3N4粉体干燥时的温度为200~250℃。

5.根据权利要求1所述的氧化石墨烯包覆氮化硅复合粉体的制备方法,其特征在于步骤b中,所述表面氧化的Si3N4粉体质量与所述水醇溶液体积之比为1~2g:200~300mL;优选的,所述水醇溶液是水与无水乙醇体积比1~1.5:1~1.5的溶液。

6.根据权利要求1所述的氧化石墨烯包覆氮化硅复合粉体的制备方法,其特征在于,步骤b中所述偶联剂水解溶液是:将偶联剂溶于水醇溶液中,超声搅拌30~60min充分水解;优选的,以表面氧化的Si3N4粉体质量为100g计,所述偶联剂的质量与所述水醇溶液的体积之比为2.5~10g:50~100mL。

7.根据权利要求1所述的氧化石墨烯包覆氮化硅复合粉体的制备方法,其特征在于,所述氧化石墨烯水分散液按以下方法配制:

将氧化石墨烯(GO)加入蒸馏水中,超声分散,氧化石墨烯分散液浓度为0.3~0.6mg/mL;滴加氨水调节氧化石墨烯分散液的pH值=8~10。

8.根据权利要求1所述的氧化石墨烯包覆氮化硅复合粉体的制备方法,其特征在于,步骤b中,所述偶联剂质量为表面氧化的Si3N4用量的4~6%;优选的,调节悬浊液pH为8.5~9.5,反应温度为75~85℃。

9.根据权利要求1所述的氧化石墨烯包覆氮化硅复合粉体的制备方法,其特征在于,步骤b中,所述表面氧化的Si3N4粉体与氧化石墨烯的质量比为15~35:1~1.5;最优选的,表面氧化的Si3N4粉体与氧化石墨烯的质量比为20:1。

10.一种根据权利要求1~9任一项所述的制备方法制备氧化石墨烯包覆Si3N4复合粉体,用于陶瓷材料增韧补强。

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