[发明专利]计算系统和用于操作计算系统的方法有效

专利信息
申请号: 201710913938.6 申请日: 2017-09-30
公开(公告)号: CN107885676B 公开(公告)日: 2023-06-13
发明(设计)人: 克里希纳·T·马拉丁;金钟民;郑宏忠 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F13/16 分类号: G06F13/16;G06F12/0882
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 王兆赓;张川绪
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 计算 系统 用于 操作 方法
【说明书】:

提供一种计算系统和用于操作计算系统的方法。一种伪主存储器系统,包括用于使用压缩、重复删除和/或纠错来执行存储器增强的存储器适配器电路。存储器适配器电路连接到存储器,并采用存储器增强方法来增大所述存储器的有效存储容量。存储器适配器电路还连接到存储器总线并实现用于连接存储器总线的NVDIMM‑F接口或修改的NVDIMM‑F接口。

本申请要求于2017年4月25日提交的第62/489,997号美国临时申请,于2016年9月30日提交的第15/282,848号美国专利申请以及于2017年7月28日提交的第15/663,619号美国专利申请的权益,所述每个申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

根据本发明的实施例的一个或多个方面涉及数据存储,更具体地,涉及一种用于使用存储器增强(memory augmentation)来存储数据的系统。

背景技术

一些现代应用(诸如,数据库、虚拟桌面基础结构以及数据分析)可具有大型主存储器占用。随着系统规模扩展,这样的容量需要超线性增长。

因此,需要一种提供更大的存储容量的系统和方法。

发明内容

本公开的实施例的方面指向一种伪主存储器系统。所述系统包括:存储器适配器电路,用于使用压缩、重复删除(deduplication)和/或纠错来执行存储器增强。存储器适配器电路连接到存储器,并采用存储器增强方法来增大所述存储器的有效存储容量。存储器适配器电路还连接到存储器总线,并实现用于连接到存储器总线的具有闪存的非易失性双列直插式存储器模块(NVDIMM)(NVDIMM-F)接口或修改的NVDIMM-F接口。

根据本发明的实施例,提供一种计算系统,包括:中央处理器;存储器系统,包括存储器适配器电路和第一存储器,其中,存储器适配器电路具有连接到中央处理器的第一存储器接口和连接到第一存储器的第二存储器接口,第一存储器接口为双数据速率同步动态随机存取存储器接口,存储器适配器电路被配置为利用第一存储器的存储容量的增强将数据存储在第一存储器中以及从第一存储器取回数据。

在一个实施例中,所述增强包括压缩、重复删除和纠错中的至少一个。

在一个实施例中,第一存储器接口为第二代或更高代的双数据速率同步动态随机存取存储器接口。

在一个实施例中,第二存储器接口为第二代或更高代的双数据速率同步动态随机存取存储器接口。

在一个实施例中,第一存储器接口为NVDIMM-F接口,所述计算系统被配置为将存储器系统作为块装置来操作。

在一个实施例中,中央处理器通过存储器管理电路连接到存储器适配器电路。

在一个实施例中,第一存储器为动态随机存取存储器,第二存储器接口为第二代或更高代的双数据速率同步动态随机存取存储器接口。

在一个实施例中,存储器适配器电路为被配置为执行压缩、重复删除和纠错的单独的集成电路。

在一个实施例中,所述计算系统包括通过存储器管理电路连接到中央处理器的第二存储器。

在一个实施例中,第二存储器通过第三存储器接口连接到存储器管理电路,其中,第三存储器接口为第二代或更高代的双数据速率同步动态随机存取存储器接口。

在一个实施例中,中央处理器被配置为在第二存储器中保持页缓存,并且中央处理器被配置为:当从页缓存驱逐净页时,调用针对净页的清理缓存功能,其中,清理缓存功能被配置为:当第一存储器中有充足空间可用时,将净页存储在第一存储器中;否则,将净页存储在持久性存储器中。

在一个实施例中,清理缓存功能被配置为基于估计的增强比评估第一存储器中是否有充足空间可用,其中,估计的增强比为在设置的时间间隔期间存储在第一存储器中的数据的增强比的函数。

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