[发明专利]压电超声换能器及其制备方法

权利要求书

1.一种压电超声换能器，包括中心设有空腔的基底、固定在所述基底上的振膜、与所述振膜相连的压电膜，所述压电膜包括靠近所述振膜的第一表面及远离所述振膜的第二表面，所述压电超声换能器还包括设置于所述第一表面的第一电极及设置于所述第二表面的第二电极，其特征在于，所述振膜靠近所述基底一侧的表面设置有质量块，所述质量块置于所述基底的空腔中，所述质量块设置于所述振膜的中央。

2.根据权利要求1所述的压电超声换能器，其特征在于，所述质量块与所述振膜为一体结构。

3.根据权利要求2所述的压电超声换能器，其特征在于，所述质量块和振膜由同种材料制成。

4.根据权利要求1所述的压电超声换能器，其特征在于，所述第二电极的尺寸小于所述振膜的尺寸。

5.根据权利要求1所述的压电超声换能器，其特征在于，所述基底采用硅、蓝宝石、陶瓷、玻璃或聚合物中的任意一种制备而成。

6.根据权利要求1所述的压电超声换能器，其特征在于，所述振膜采用二氧化硅、多晶硅、氮化硅或聚合物中的任意一种制备而成。

7.根据权利要求1所述的压电超声换能器，其特征在于，所述压电膜采用氮化铝、氧化锌、或锆钛酸铅中的任意一种制备而成。

8.根据权利要求1所述的压电超声换能器，其特征在于，所述第一电极、第二电极采用钼、铂或铝中的任意一种导电材料制备而成。

9.一种如权利要求1所述的压电超声换能器的制备方法，其包括如下步骤：

提供基底基材，所述基底基材包括上表面和下表面，在所述基底基材刻蚀由上表面向下表面凹陷的凹槽；

提供振膜基材，在所述基底基材的上表面沉积振膜基材，将部分振膜基材沉积至所述基底基材的凹槽中以形成质量块基材；

将所述基底基材的上表面上的振膜基材的表面进行减薄处理；

在振膜基材的表面依次制备第一电极、压电膜及第二电极；

刻蚀基底基材的下表面以形成空腔，并且释放位于基底基材的上表面的振膜基材以形成振膜，释放质量块基材以形成质量块。