[发明专利]磁阻效应元件

权利要求书

1.一种磁阻效应元件，其特征在于，

具备层叠体，所述层叠体按顺序层叠有：

基底层、

第一铁磁性金属层、

隧道势垒层、以及

第二铁磁性金属层，

所述基底层由VN、TiN的混合材料构成，所述基底层在透射型电子显微镜TEM的图像中不是完全非晶化的状态，也不是完全结晶化的状态，

所述隧道势垒层由下述组成式(1)表示的化合物构成，所述化合物具有阳离子排列不规则的尖晶石结构，

所述隧道势垒层具有：晶格匹配部，其与所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层这两者晶格匹配；和晶格不匹配部，其与所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层的至少一者晶格不匹配，

将包含所述隧道势垒层与所述第一铁磁性金属层、及所述第二铁磁性金属层的界面的截面TEM图像进行傅里叶变换，除去层叠方向以外的电子束衍射点，通过进行反傅里叶变换而得到反傅里叶图像，在该反傅里叶图像中的晶格线中，

所述晶格匹配部为，所述晶格线在宽度方向上连续并且从所述第一铁磁性金属层经由所述隧道势垒层连续地连接至所述第二铁磁性金属层的部分，

所述晶格不匹配部为，所述晶格线在宽度方向上连续并且所述第一铁磁性金属层及所述第二铁磁性金属层中的至少一者不连续地连接的部分，或者，未检测到所述晶格线在宽度方向上连续并且所述第一铁磁性金属层及所述第二铁磁性金属层中的至少一者连续地连接的晶格线的部分，

(1)：A_xB₂O_y

式中，A表示2种以上的非磁性元素的二价阳离子，

B表示铝离子，

x表示满足0＜x≤2的数，y表示满足0＜y≤4的数。

2.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述隧道势垒层的所述晶格匹配部平行于膜面方向的大小为30nm以下。

3.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于，

在所述非磁性元素的二价阳离子中以12.5～90％的比例含有所述非磁性元素的二价阳离子中所含的元素中具有最大离子半径的元素。

4.根据权利要求2所述的磁阻效应元件，其特征在于，

在所述非磁性元素的二价阳离子中以12.5～90％的比例含有所述非磁性元素的二价阳离子中所含的元素中具有最大离子半径的元素。

5.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述隧道势垒层以立方晶为基本结构。

6.根据权利要求2所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述隧道势垒层以立方晶为基本结构。

7.根据权利要求3所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述隧道势垒层以立方晶为基本结构。

8.根据权利要求4所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述隧道势垒层以立方晶为基本结构。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述非磁性元素的二价阳离子为选自Mg、Zn、Cd、Ag、Pt及Pb中的任意元素的阳离子。

10.根据权利要求1～8中任一项所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述第二铁磁性金属层的矫顽力比所述第一铁磁性金属层的矫顽力大。

11.根据权利要求1～8中任一项所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层的至少任一者具有相对于层叠方向垂直的磁各向异性。