[发明专利]掩膜板和曝光设备

说明书

本发明提供一种掩膜板，用于对阵列基板进行曝光，所述阵列基板包括显示区域和环绕所述显示区域的周边区域，所述显示区域包括多个显示有源区，所述周边区域包括多个周边有源区，所述周边有源区的长度大于所述显示有源区的长度，所述掩膜板包括掩膜层，所述掩膜层包括对应于所述周边有源区的第一掩膜部，所述第一掩膜部包括多个彼此间隔的掩膜条；在所述第一掩膜部中，所述掩膜条的透光程度与其他部分的透光程度不同。相应地，本发明还提供一种曝光设备，本发明能够提高对阵列基板有源区曝光的均匀性。

技术领域

本发明涉及显示装置的制作领域，具体涉及一种掩膜板和曝光

设备。

背景技术

在阵列基板中，显示区设置有多个用于显示的薄膜晶体管，非显示区设置有多个用于防静电的薄膜晶体管。通常，显示区的薄膜晶体管的有源层宽度通常较小，以减少漏电；非显示区的薄膜晶体管的有源层宽度较大，以提高防静电效果。在阵列基板的制作过程中，为了减少工艺步骤，越来越多的厂商将薄膜晶体管的有源层和源漏电极采用一张半色调掩膜板(Half Tone Mask，HTM)来制作。半色调掩膜板包括透光区、半透光区和不透光区，其中，半透光区设置有半透光膜(透光率优选为50％)。以采用正性光刻胶为例，在曝光时，将半色调掩膜板的不透光区对应源漏电极区；半透光区对应有源区；透光区对应其他区域；以使显影后，有源区的光刻胶保留一部分，源漏电极区的光刻胶全部保留，其他区域的光刻胶被去除。但是，在曝光过程中，光源是从掩膜板的一侧向另一侧扫描的，扫描时会产生拖影，即，光线从不透光区刚进入半透光区以及即将进入不透光区时，透光率会有一定的过渡，进而导致半透光区的实际透光率较大，中间的实际透光率较小。如图1所示的是利用半透光膜对长度较大的有源区进行曝光时各位置的透光率示意图，图中实线为理论透光率曲线，虚线为实际透光率曲线，可以看出，在实际曝光时，半透光膜的实际透光率逐渐过渡为50％时，还会有一定程度的增加，从而出现过曝光，而有源区的长度越大，过曝光的区域越长，有源区长度方向的中部的过曝光程度越大甚至断裂，进而降低后续刻蚀构图的均匀性。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种掩膜板和曝光设备，以提高有源区的曝光均一性。

为了解决上述技术问题之一，本发明提供一种掩膜板，用于对阵列基板进行曝光，所述阵列基板包括显示区域和环绕所述显示区域的周边区域，所述显示区域包括多个显示有源区，所述周边区域包括多个周边有源区，所述周边有源区的长度大于所述显示有源区的长度，所述掩膜板包括掩膜层，所述掩膜层包括对应于所述周边有源区的第一掩膜部，所述第一掩膜部包括多个彼此间隔的掩膜条；在所述第一掩膜部中，所述掩膜条的透光程度与其他部分的透光程度不同。

优选地，所述掩膜层还包括与所述显示有源区对应的第二掩膜部，该第二掩膜部为半透光膜。

优选地，所述阵列基板还包括多个显示源极区和多个显示漏极区，每个显示有源区均对应一个显示漏极区和一个显示漏极区，每个显示有源区均位于相应的显示漏极区和相应的显示漏极区之间，

所述掩膜层还包括与所述显示有源区对应的第二掩膜部、与所述显示源极区对应的第三掩膜部、与显示漏极区对应的第四掩膜部和分别设置在所述第二掩膜部两端的两个遮光块；所述第三掩膜部和所述第四掩膜部均不透光，所述第二掩膜部全透光，所述第三掩膜部、所述第四掩膜部和两个所述遮光块环绕所述第二掩膜部设置。

优选地，在所述第一掩膜部中，所述掩膜条的透光程度低于其他部分的透光程度。

优选地，在所述第一掩膜部中，

所述掩膜条不透光，其他部分全透光；

或者，所述掩膜条半透光，其他部分全透光；

或者，所述掩膜条不透光，其他部分半透光。