[发明专利]掩膜板和曝光设备有效
申请号: | 201710895606.X | 申请日: | 2017-09-28 |
公开(公告)号: | CN107807493B | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 徐元杰;祁小敬;高山 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜板 曝光 设备 | ||
1.一种掩膜板,用于对阵列基板进行曝光,所述阵列基板包括显示区域和环绕所述显示区域的周边区域,所述显示区域包括多个显示有源区,所述周边区域包括多个周边有源区,所述周边有源区的长度大于所述显示有源区的长度,所述掩膜板包括掩膜层,其特征在于,所述掩膜层包括对应于所述周边有源区的第一掩膜部,所述第一掩膜部包括多个彼此间隔的掩膜条;在所述第一掩膜部中,所述掩膜条的透光程度与其他部分的透光程度不同;
所述掩膜层还包括与所述显示有源区对应的第二掩膜部,该第二掩膜部为半透光膜或者由第三掩膜部、第四掩膜部和两个遮光块环绕的全透光区。
2.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,在所述第一掩膜部中,所述掩膜条的透光程度低于其他部分的透光程度。
3.根据权利要求2所述的掩膜板,其特征在于,在所述第一掩膜部中,
所述掩膜条不透光,其他部分全透光;
或者,所述掩膜条半透光,其他部分全透光;
或者,所述掩膜条不透光,其他部分半透光。
4.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述第一掩膜部包括沿其宽度方向排列的两个所述掩膜条,所述掩膜条的延伸方向与所述第一掩膜部的宽度方向交叉;两个所述掩膜条之间的距离大于所述周边有源区的宽度;所述第一掩膜部中,所述掩膜条以外的部分半透光。
5.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述第一掩膜部包括沿其宽度方向排列的多个所述掩膜条,所述掩膜条的延伸方向与所述第一掩膜部的宽度方向相交叉,距离最远的两个第一掩膜条之间的距离小于所述周边有源区的宽度;或者,
所述第一掩膜部包括沿其长度方向排列的多个所述掩膜条,所述掩膜条的延伸方向与所述第一掩膜部的长度方向相交叉,距离最远的两个掩膜条之间的距离小于所述周边有源区的长度。
6.根据权利要求5所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜条的宽度在0.5μm~1.5μm之间,相邻两个掩膜条之间的间距在0.5μm~1.5μm之间。
7.一种曝光设备,其特征在于,包括扫描光源和权利要求1至6中任意一项所述的掩膜板。
8.根据权利要求7所述的曝光设备,其特征在于,当所述掩膜板为权利要求4所述的掩膜板时,所述扫描光源的扫描方向为所述第一掩膜部的长度方向;
当所述掩膜板为权利要求5所述的掩膜板时,所述扫描光源的扫描方向为所述掩膜条的排列方向。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备