[发明专利]一种低噪声放大器电路有效
| 申请号: | 201710892863.8 | 申请日: | 2017-09-27 |
| 公开(公告)号: | CN109560775B | 公开(公告)日: | 2023-04-14 |
| 发明(设计)人: | 董晶晶 | 申请(专利权)人: | 深圳市中兴微电子技术有限公司 |
| 主分类号: | H03F1/02 | 分类号: | H03F1/02;H03F3/193;H03F3/45;H03H19/00 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;冯建基 |
| 地址: | 518055 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 低噪声放大器 电路 | ||
一种低噪声放大器电路,包括级联的多级放大电路,其中,在第二级放大电路中跨接一组或两组N路径滤波器,其中,N大于2。本方案的低噪声放大器电路可以实现替代SAW滤波器的功能,并且能够有效控制功耗和成本。
技术领域
本公开涉及但不限于集成电路设计技术领域,具体涉及一种不需要声表面滤波器的低噪声放大器电路。
背景技术
近些年无线通信技术的迅速发展离不开射频集成电路的进步。以移动通信为例,从2G到当下的4G,乃至未来的5G,无线芯片射频前端需要支持的频段越来越多。众所周知,不同频段信号之间相互干扰会影响芯片性能,传统的解决方式是采用多个声表面波(Surface Acoustic Wave,简称SAW)滤波器,在不同的频带分别滤除带外干扰。但是,频段的不断增加导致SAW滤波器数量对应增加,射频电路的成本越来越高。除此之外,SAW滤波器往往不可避免地引入插入损耗,恶化射频电路的接收噪声或发射效率性能,提高了片上电路的设计难度。
为了避免SAW滤波器带来的问题,人们提出了多种无声表面波滤波器(SAW-less)的设计技术:负电阻补偿Q值技术、干扰消除技术和N路径滤波器(N-Path filter)技术等。这些方法归根结底都是在接收机中低噪声放大器(Low Noise Amplifier,简称LNA)的输入端等效实现带通滤波特性。
负电阻补偿Q值技术是基于传统LC滤波的结构,通过有源电路产生负电阻,抵消电感的寄生电阻,可以提高片上电感的Q值,进而对干扰信号实现比较好的滤除效果。该方法的问题在于,负电阻在不同工艺角下很难精准抵消电感寄生电阻,Q值增强的效果有限,甚至导致电路不稳定。
干扰消除技术是在接收机中引入辅助支路,将接收机主路与辅路信号以特定方式合成,可以消除部分干扰信号。由于该方法需要额外的辅助支路,功耗和面积开销比较大。
N路径滤波器技术是利用时钟控制开关切换,将低频滤波特性搬移至射频频段,滤波器中心频率可以跟随时钟频率变化,能够针对每个信号频率进行更精准地滤波,所以该技术受到越来越多的重视。不过,由于该方法对晶体管寄生比较敏感,比较依赖先进工艺,所以不利于降低芯片成本。该方法会引入插入损耗,带来了与片外SAW滤波器类似的性能恶化。另外,该方法往往需要占用较大面积,成本居高不下。
发明内容
本公开实施例提供一种低噪声放大器电路,以有效控制功耗和成本。
一种低噪声放大器电路,其中,包括级联的多级放大电路,其中,
在第二级放大电路中跨接一组或两组N路径滤波器,其中,N大于2。
可选地,在第一级放大电路的输入端接连有用于对所述第一级放大电路的输入阻抗进行变换的输入匹配电路。
可选地,所述第一级放大电路包括:第一级放大晶体管(201,202)、分流晶体管(203,204)、第一偏置电路(209、211,210、212)和第二偏置电路(205、207,206、208),其中,
所述第一级放大晶体管(201,202),输入端通过所述第一偏置电路(209、211,210、212)与所述输入匹配电路连接,输出端与所述第二级放大电路的输入端及所述分流晶体管(203,204)的漏端连接;
所述分流晶体管(203,204),栅端通过所述第二偏置电路(205、207,206、208)与所述输入匹配电路连接。
可选地,在所述第二级放大电路中跨接两组N路径滤波器,所述两组N路径滤波器分别跨接在所述第二级放大电路的差分输入端口和输出端口。
可选地,在所述第二级放大电路中跨接一组N路径滤波器,所述N路径滤波器跨接在所述第二级放大电路的差分输入端口。
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