[发明专利]一种低噪声放大器电路

权利要求书

1.一种低噪声放大器电路，其特征在于，包括级联的多级放大电路，其中，

在第二级放大电路中跨接一组或两组N路径滤波器，其中，N大于2；

在第一级放大电路的输入端接连有用于对所述第一级放大电路的输入阻抗进行变换的输入匹配电路；

所述第一级放大电路包括：第一级放大晶体管、分流晶体管、第一偏置电路和第二偏置电路，其中，

所述第一级放大晶体管包括初级第一NMOS管（201）和初级第二NMOS管（202），所述分流晶体管包括初级第一PMOS管（203）和初级第二PMOS管（204），所述第一偏置电路包括第一偏置第一电容（209）、第一偏置第一电阻（211）、第一偏置第二电容（210）和第一偏置第二电阻（212），所述第二偏置电路包括第二偏置第一电阻（205）、第二偏置第一电容（207）、第二偏置第二电阻（206）和第二偏置第二电容（208）；

所述初级第一NMOS管（201）的输入端和初级第二NMOS管（202）的输入端分别通过相应的所述第一偏置电路与相应的所述输入匹配电路连接，

所述初级第一NMOS管（201）的输出端与初级第一PMOS管（203）的漏端、以及第二级放大电路的一个输入端电连接，所述初级第二NMOS管（202）的输出端与所述初级第二PMOS管（204）的漏端以及所述第二级放大电路的另一输入端连接；

所述初级第一PMOS管（203）和初级第二PMOS管（204）栅端分别通过相应的所述第二偏置电路与相应的所述输入匹配电路连接。

2.如权利要求1所述的低噪声放大器电路，其特征在于：

在所述第二级放大电路中跨接两组N路径滤波器，所述两组N路径滤波器分别跨接在所述第二级放大电路的差分输入端口和输出端口。

3.如权利要求1所述的低噪声放大器电路，其特征在于：

在所述第二级放大电路中跨接一组N路径滤波器，所述N路径滤波器跨接在所述第二级放大电路的差分输入端口。

4.如权利要求1所述的低噪声放大器电路，其特征在于：所述第一级放大电路包括：第一级放大晶体管（201、202）和第一偏置电路（209、211，210、212），其中，

所述第一级放大晶体管（201、202），输入端通过第一偏置电路（209、211，210、212）与所述输入匹配电路连接，输出端与所述第二级放大电路的输入端连接。

5.如权利要求4所述的低噪声放大器电路，其特征在于：

在所述第二级放大电路中跨接两组N路径滤波器，所述两组N路径滤波器分别跨接在所述第二级放大电路的差分输入端口和输出端口。

6.如权利要求4所述的低噪声放大器电路，其特征在于：

在所述第二级放大电路中跨接一组N路径滤波器，所述N路径滤波器跨接在所述第二级放大电路的差分输入端口。

7.如权利要求1所述的低噪声放大器电路，其特征在于：

N的取值为3、4、5、或8。

8.如权利要求1-7任一项所述的低噪声放大器电路，其特征在于：

所述级联的多级放大电路为级联的两级放大电路。

9.如权利要求8所述的低噪声放大器电路，其特征在于：

所述第二级放大电路包括：第二级放大晶体管（301，302）、电流复用晶体管（303，304）、第三偏置电路（309，310）、第四偏置电路（305、307，306、308）和跨导增强电路（311，312），其中，

所述第二级放大晶体管（301，302），源端与所述第一级放大电路的输出端连接，漏端与所述电流复用晶体管（303，304）的漏端连接，栅极与所述第三偏置电路（309，310）连接；

所述电流复用晶体管（303，304），源端与直流电源连接，漏端与所述第二级放大晶体管（301，302）的漏端连接，栅极与所述第四偏置电路（305、307，306、308）连接；

跨导增强电路（311）的两端分别与所述第二级放大晶体管（302）的栅极和所述第二级放大晶体管（301）的源端连接，跨导增强电路（312）的两端分别与所述第二级放大晶体管（301）的栅极和所述第二级放大晶体管（302）的源端连接。